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    Micromachined millimeter-wave technology
    Saint-Etienne, E. ; Guillon, B. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 2 (1997), S. 519-522
    Online Konferenz
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    Persistent photoconductivity as a tool for monitoring oxide clusters concentration in silicon wafers
    Haddab, Y. ; Manic, D. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 2 (1997), S. 633-636
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Numerical simulation of plasma-chemical etching reactors
    Grigoryev, Yu.N. ; Gorobchuk, A.G.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 2 (1997), S. 485-488
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    An integrated microstructure with temperature control for gas sensors
    Cardinali, G.C. ; Dori, L. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 2 (1997), S. 515-518
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Micromachined silicon sensor for tribological investigations
    Vujanic, A. ; Delic, N. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 2 (1997), S. 531-534
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Influence of assembling procedure on IC parameters
    Manic, D. ; Friedrich, A.P. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 2 (1997), S. 637-640
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Compensation of thermocouple reference junction temperature variation by a silicon temperature sensor
    Zlatanovic, M. ; Dukic, M. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 2 (1997), S. 557-560
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Testable design of digital ASIC with embedded analog multiplexers
    Jankovic, S. ; Maksimovic, D. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 2 (1997), S. 779-782
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    Asynchronous controller for token-ring mutual exclusion: ring design
    Tosic, M.B. ; Stojcev, M.K. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 2 (1997), S. 823-826
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Photoluminescence spectra of high temperature vacuum annealed porous silicon
    Dimitrov, D.B. ; Papadimitriou, D. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 1 (1997), S. 91-94
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characterization of the silicon nitride-thermal oxide interface in ONO structures by ELS, XPS, ellipsometry, and numerical simulation [SONOS EEPROM]
    Gritsenko, V.A. ; Morokov, Yu.N. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 1 (1997), S. 111-114
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Sub-quarter micron silicon integrated circuits and single wafer processing
    Singh, R.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 1 (1997), S. 19-24
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Silicon MOSFET scaling beyond 0.1 micron
    Iwai, H.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 1 (1997), S. 11-18
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    From simple devices to promising microsystem applications
    Lerch, Ph. ; Dubochet, O. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 1 (1997), S. 59-62
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Radiation caused by direct and indirect transitions in silicon at avalanche and secondary breakdown
    Puritis, T. ; Kaupuzs, J.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 1 (1997), S. 161-164
    Online Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Einstein relation and transport equations in heavily doped silicon
    Trajkovic, A. ; Ristic, S. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 1 (1997), S. 177-180
    Online Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A modified model for resistivity of thin polysilicon films in the linear region on I-V characteristics
    Mitic, D.Z. ; Petkovic, D.M.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 1 (1997), S. 189-192
    Online Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Comparison of main models for generation-recombination space-charge current in abrupt p-n junction
    Gaci, A. ; Maxim, A. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 1 (1997), S. 253-256
    Online Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Modeling the threshold voltage of long and short-channel fully depleted SOI MOSFETs with back gate substrate induced surface effects
    Imam, M.A. ; Osman, M.A. ; et al.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 1 (1997), S. 343-346
    Online Konferenz
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    An analytical continuous model of a fully depleted SOI MOSFET applicable for CAD
    Jurczak, M. ; Jakubowski, A.
    In: 1997 21st International Conference on Microelectronics. Proceedings, Jg. 1 (1997), S. 351-354
    Online Konferenz
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    Volltext
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