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    Session 26: Process technology - interconnect and 3D-IC technologies
    Hasegawa, Toshiaki ; Kohl, Paul
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Heterogeneous wafer-scale integration of 250nm, 300GHz InP DHBTs with a 130nm RF-CMOS technology
    Li, J.C. ; Royter, Y. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1-3
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Session 5: Characterization, reliability, and yield BTI in SiON and high k FETs
    Zafar, Sufi ; Bersuker, Gennadi
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Electronic and ionic devices: Semiconductor chips with brain tissue
    Fromherz, Peter
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Non-volatile memory technologies: The quest for ever lower cost
    Lai, Stefan
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Impacts of non-negligible electron trapping/detrapping on the NBTI characteristics in silicon nanowire transistors with TiN metal gates
    Zhang, Liangliang ; Wang, Runsheng ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High performance Hi-K + metal gate strain enhanced transistors on (110) silicon
    Packan, P. ; Cea, S. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    190V N-channel lateral IGBT integration in SOI 0.35 µm BCD technology
    Sambi, M. ; Gallo, M. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Shot noise in quasi one-dimensional FETs
    Betti, A. ; Fiori, G. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    From NEMO1D and NEMO3D to OMEN: Moving towards atomistic 3-D quantum transport in nano-scale semiconductors
    Klimeck, Gerhard ; Luisier, Mathieu
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Comprehensive study on vth variability in silicon on Thin BOX (SOTB) CMOS with small random-dopant fluctuation: Finding a way to further reduce variation
    Sugii, Nobuyuki ; Tsuchiya, Ryuta ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Energy band engineered unified-RAM (URAM) for multi-functioning 1T-DRAM and NVM
    Han, Jin-Woo ; Ryu, Seong-Wan ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Setting up 3D sequential integration for back-illuminated CMOS image sensors with highly miniaturized pixels with low temperature fully depleted SOI transistors
    Coudrain, Perceval ; Batude, Perrine ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Silicon nanowires for bioadhesive drug delivery
    Fischer, Kathleen ; Tao, Sarah ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    ESD qualification changes for 45nm and beyond
    Duvvury, Charvaka
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Plasma PH3-passivated high mobility inversion InGaAs MOSFET fabricated with self-aligned gate-first process and HfO2/TaN gate stack
    Lin, Jianqiang ; Lee, Sungjoo ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Multi-probe interface characterization of In0.65Ga0.35As/Al2O3 MOSFET
    Varghese, D. ; Xuan, Y. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Observation of optical gain in ultra-thin silicon resonant cavity light-emitting diode
    Saito, S. ; Sakuma, N. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Silicon photonic modulator and integration for high-speed applications
    Liao, Ling ; Liu, Ansheng ; et al.
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
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    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Session 22: Modeling and simulation atomistic process simulation and memory modeling
    Sonoda, Ken'ichiro ; Pichler, Peter
    In: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008-12-01, S. 1
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    Wie komme ich dran?

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