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    Progress on distributed resistance model for pHEMT
    Yin, Hong ; Wei, Cejun ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    Design of complementary GAA-NW tunneling-FETs of axial Si-Ge heterostructure
    Huang, Shengxi ; Guan, Ximeng ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Design for improved NBTI reliability of CMOS digital IC
    Lining, Liu ; Bin, Li ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    RF parameter extraction of Bulk FinFET: A non quasi static approach
    Kundu, Atanu ; Syamal, Binit ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    Extraction of gate oxide quality and its correlation to the electrical parameters of MOS devices
    Ortega, R. ; Molina, J. ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    Modeling of flicker noise in n-channel FinFETs: Mobility fluctuations in the subthreshold region
    Pandit, Srabanti ; Syamal, Binit ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    The impact of device parameter variation on double gate tunneling FET and double gate MOSFET
    Zhang, Lining ; Chan, Mansun ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    A study on hydrogen adsorption of Metal-Insulator-Silicon sensor with La2O3 as gate insulator
    Chen, Gang ; Lai, P.T. ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    Statistical analysis for the oscillation frequency of a ring oscillator
    Zhu, Wanjing ; Lu, Tan ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    Joint-PDF of timing and power of nano-scaled CMOS digital gates due to channel length variation
    Mozaffari, Seyed-Nima ; Aghababa, Hossein ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    A Simple compact model for hot carrier injection phenomenon in 32 nm NAND flash memory device
    Kang, Myounggon ; Hahn, Wookghee ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    Analytical subthreshold channel potential model of asymmetric gate underlap gate-all-around MOSFET
    Wang, Shaodi ; Guo, Xinjie ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    GaN schottky barrier MOSFET using indium-tin-oxide as source, drain and gate material
    Kim, Tae-Hyeon ; Jung, Byung-Kwon ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    Analysis on panel power consumption of mobile TFT-LCDs based on line inversion driving
    Woo, Jae-Hyuck ; Kong, Bai-Sun ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    Design and analysis of low-voltage silicon-controlled rectifier ESD protection circuit
    Shi, Zitao ; Liu, Jian ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    Body bias effect of GaN schottky barrier MOSFET with ITO source/drain
    Lee, Chang-Ju ; Kim, Tae-Hyeon ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    Ground plane SOI MOSFET based SRAM with consideration of process variation
    Saremi, Mehdi ; Ebrahimi, Behzad ; et al.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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    A CAD tool for design and analysis of CNFET circuits
    Huang, Jiale ; Zhu, Minhao ; et al.
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    Total ionizing dose effects on 4-transistor CMOS image sensor pixels
    Tan, Jiaming ; Theuwissen, Albert J. P.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    YAlOx as inter-poly dielectric for improved performance of flash-memory application
    Huang, X. D. ; Lai, P. T.
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
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