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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Application specific trade-offs for WBG SiC, GaN and high end Si power switch technologies
    Rupp, R. ; Laska, T. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    A manufacturable interposer MIM decoupling capacitor with robust thin high-K dielectric for heterogeneous 3D IC CoWoS wafer level system integration
    Liao, W.S. ; Chang, C.H. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Silicon carbide power device development for industrial markets
    Palmour, John W.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Atomic scale devices: Advancements and directions
    Prati, Enrico ; Shinada, Takahiro
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    600 V JEDEC-qualified highly reliable GaN HEMTs on Si substrates
    Kikkawa, Toshihide ; Hosoda, Tsutomu ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    High voltage silicon based devices for energy efficient power distribution and consumption
    Kopta, A.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    MOS Capacitor Deep Trench Isolation for CMOS image sensors
    Ahmed, N. ; Roy, F. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Power devices on bulk gallium nitride substrates: An overview of ARPA-E's SWITCHES program
    Heidel, Timothy D. ; Gradzki, Pawel
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Heterogeneously integrated sub-40nm low-power epi-like Ge/Si monolithic 3D-IC with stacked SiGeC ambient light harvester
    Shen, Chang-Hong ; Shieh, Jia-Min ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Process integration of a 27nm, 16Gb Cu ReRAM
    Zahurak, John ; Miyata, Koji ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Broadband 10Gb/s graphene electro-absorption modulator on silicon for chip-level optical interconnects
    Hu, Y. T. ; Pantouvaki, M. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Atomic scale engineering of metal-oxide-semiconductor photoelectrodes for energy harvesting application integrated with Graphene and Epitaxy SrTiO3
    Ji, Li ; McDaniel, Martin D. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Impact of 3D integration on 7nm high mobility channel devices operating in the ballistic regime
    Guo, W. ; Choi, M. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Coupled Monte Carlo simulation of transient electron-phonon transport in small FETs
    Kamakura, Y. ; Adisusilo, I.N. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Modeling and optimization of group IV and III–V FinFETs and nano-wires
    Moroz, Victor ; Smith, Lee ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Integrated on-chip energy storage using porous-silicon electrochemical capacitors
    Gardner, D. S. ; Holzwarth, C. W. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A high efficiency frequency pre-defined flow-driven energy harvester dominated by on-chip modified Helmholtz Resonating cavity
    Mu, X. J. ; Sun, C. L. ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Simulation analysis of III–V n-MOSFETs: Channel materials, Fermi level pinning and biaxial strain
    Caruso, Enrico ; Lizzit, Daniel ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Performance evaluation of InGaAs, Si, and Ge nFinFETs based on coupled 3D drift-diffusion/multisubband boltzmann transport equations solver
    Jin, Seonghoon ; Pham, Anh-Tuan ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
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    Comprehensive analysis of deformation of interfacial micro-nano structure by applied force in triboelectric energy harvester
    Seol, Myeong-Lok ; Han, Jin-Woo ; et al.
    In: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014-12-01, S. 1
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