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    Evaluations of threshold voltage stability on COTS SiC DMOSFETs using fast measurements
    Habersat, Daniel B. ; Green, Ronald ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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    The “permanent” component of NBTI revisited: Saturation, degradation-reversal, and annealing
    Grasser, T. ; Waltl, M. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Characterization of self-heating leads to universal scaling of HCI degradation of multi-fin SOI FinFETs
    Jiang, Hai ; Shin, Sang ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Fundamental statistical properties of reconstruction methodology for TDDB with variability in BEOL/MOL/FEOL applications
    Wu, Ernest ; Stathis, James ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Hardware based empirical model for predicting logic soft error cross-section
    Jagannathan, S. ; Mahatme, N. N. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Budget-based reliability management to handle impact of thermal issues in 16nm technology
    Ahn, Jae-Gyung ; Cooksey, John ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Progressive breakdown in high-voltage GaN MIS-HEMTs
    Warnock, Shireen ; del Alamo, Jesus A.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Positive bias temperature instability evaluation in fully recessed gate GaN MIS-FETs
    Wu, Tian-Li ; Franco, Jacopo ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Reconfigurable power management for monolithic CMOS-on-Photovoltaic under partial and complete shading
    Mahto, Rakeskumar ; Zarkesh-Ha, Payman ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Negative-bias temperature instability of GaN MOSFETs
    Guo, Alex ; del Alamo, Jesus A.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Hot-carrier analysis on nMOS Si FinFETs with solid source doped junction
    Chasin, A. ; Franco, J. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    NBTI in Replacement Metal Gate SiGe core FinFETs: Impact of Ge concentration, fin width, fin rotation and interface passivation by high pressure anneals
    Franco, J. ; Kaczer, B. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Study of oxygen vacancy in high-k gate dielectric by charge injection technique
    Liao, P. J. ; Gao, S. H. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Process optimizations for NBTI/PBTI for future replacement metal gate technologies
    Linder, Barry P. ; Dasgupta, A. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Reliability of single-layer MoS2 field-effect transistors with SiO2 and hBN gate insulators
    Illarionov, Yu. Yu. ; Waltl, M. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Transistor reliability characterization and comparisons for a 14 nm tri-gate technology optimized for System-on-Chip and foundry platforms
    Prasad, C. ; Park, K. W. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Analog-circuit NBTI degradation and time-dependent NBTI variability: An efficient physics-based compact model
    Giering, K. U. ; Rott, G. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Fundamental study of the apparent voltage-dependence of NBTI kinetics by constant electric field stress in Si and SiGe devices
    Mukhopadhyay, S. ; Franco, J. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Impact of alpha-radiation on power MOSFETs
    Schindler, G. ; Bach, K. H. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    FinFET SCR structure optimization for high-speed serial links ESD protection
    Chu, Li-Wei ; Chang, Yi-Feng ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Volltext
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