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    Invited: Polarization engineering in GaN-based normally-off transistors
    Gregusova, Dagmar ; Pohorelec, Ondrej ; et al.
    In: 2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2021-11-17, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Electrical properties of GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques
    Urano, S. ; Low, R. S. ; et al.
    In: 2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2021-11-17, S. 1-2
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
    Ishiguro, M. ; Urano, S. ; et al.
    In: 2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2021-11-17, S. 1-2
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and Characterization of ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with regrown AlGaN Layer
    Maeda, S. ; Nagase, I. ; et al.
    In: 2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2021-11-17, S. 1-2
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
    Motoyama, Tomohiro ; Yatabe, Zenji ; et al.
    In: 2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2021-11-17, S. 1-2
    Online Konferenz
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    RF Evaluation of Steep Subthreshold Slope “PN-Body Tied SOI-FET”
    Yuizono, Mitsuhiro ; Ida, Jiro ; et al.
    In: 2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2021-11-17, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Enhanced gain characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric
    Shibata, K. ; Herbert, K. ; et al.
    In: 2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2021-11-17, S. 1-2
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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