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    SiGe p-n-p HBTs With 265-GHz f max, 175-GHz f T, and 3.65-ps Gate Delay
    Heinemann, B. ; Rucker, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-08-01), Heft 8, S. 814-814
    Online academicJournal
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    Amorphous Ga2O3/IGZO Heterojunction Thin-Film Solar-Blind Phototransistors With High Responsivity
    Ji, X. ; Yin, X. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-09-01), Heft 9, S. 1512-1515
    Online academicJournal
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    Scaling Study on High-Current Density Low-Dispersion GaN Vertical FinFETs
    Jeong, S. ; Lee, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-05-01), Heft 5, S. 841-844
    Online academicJournal
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    Sn Concentration Effects on Polycrystalline GeSn Thin Film Transistors
    Moto, K. ; Yamamoto, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), Heft 12, S. 1735-1738
    Online academicJournal
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    Modulation of Ciss of a 4H-SiC Planar MOSFET With a Shorter Sidewall and a Thicker Gate
    Chen, S. ; Liu, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-11-01), Heft 11, S. 1825-1828
    Online academicJournal
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    A Novel SiC Trench MOSFET Embedding Auto-Adjust Source-Potential Region With Switching Oscillation Suppression
    Sun, R. ; Deng, X. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-11-01), Heft 11, S. 1817-1820
    Online academicJournal
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    Impact of Random Dipole Fluctuation-Induced Variation on Nanosheet Devices
    Zhao, Y. ; Xu, Z. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-10-01), Heft 10, S. 1772-1775
    Online academicJournal
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    Stable AC Stress Operation (100 h) of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
    Saha, N.C. ; Shiratsuchi, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-10-01), Heft 10, S. 1704-1707
    Online academicJournal
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    Low Frequency Noise in DNTT/Cytop™ Based Organic Thin Film Transistors
    Giusi, G. ; Rapisarda, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-10-01), Heft 10, S. 1720-1723
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Monolithically Integrated Low-Dropout Regulator Based on a-InGaZnO TFTs With Ultralow Power Consumption
    Yu, Z. ; Xu, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-10-01), Heft 10, S. 1648-1651
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    650-V E-Mode p-GaN Gate HEMT With Schottky Source Extension Towards Enhanced Short-Circuit Reliability
    Yu, J. ; Wei, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-10-01), Heft 10, S. 1700-1703
    Online academicJournal
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    Switching of GaN CAVET With Quasi-Monolithic Integrated HEMT Gate Driver
    Basler, M. ; Doring, P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-08-01), Heft 8, S. 1332-1335
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Fast Switching NO₂-Doped p-Channel Diamond MOSFETs
    Saha, N.C. ; Shiratsuchi, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-05-01), Heft 5, S. 793-796
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Sub-100 nm Self-Aligned Top-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors With Gate Insulator of 4 nm Atomic-Layer-Deposited AlOx
    Zhang, Y. ; Li, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-03-01), Heft 3, S. 444-447
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    AlScN/GaN HEMTs Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition With 8.4 W/mm Output Power and 48 % Power-Added Efficiency at 30 GHz
    Krause, S. ; Streicher, I. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), Heft 1, S. 17-20
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Flexible Organic Electrochemical Synaptic Transistor With Dopamine-Mediated Plasticity
    Qiu, J. ; Cao, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), Heft 1, S. 176-179
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates
    Saha, N.C. ; Kim, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), Heft 1, S. 112-115
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Harmonic Radar Tag With High Detection Range Utilizing Ge FinFETs CMOS Technology
    Hsieh, C. ; Hong, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-11-01), Heft 11, S. 1798-1801
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    Integration of 3-Level MoS Multibridge Channel FET With 2D Layered Contact and Gate Dielectric
    Hitesh, S. ; Dasika, P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-11-01), Heft 11, S. 1993-1996
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Extraction of Dynamic Threshold Voltage in Resistive Load Hard Switching Operation of Schottky-Type p-GaN Gate HEMT
    Hwang, I. ; Oh, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1720-1723
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