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    Experimental Testing of the European TH1509U 170-GHz 1-MW CW Industrial Gyrotron—Long Pulse Operation
    Rzesnicki, T. ; Ioannidis, Z.C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-04-01), Heft 4, S. 623-626
    Online academicJournal
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    1710-V 2.77-m/spl Omega/cmsub 2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
    Zhao, J.H. ; Tone, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-02-01), Heft 2, S. 81-83
    Online academicJournal
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    High efficiency and output power from second- and third-harmonic millimeter-wave InP-TED oscillators at frequencies above 170 GHz
    Rydberg, A.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 11 (1990-10-01), Heft 10, S. 439-441
    Online academicJournal
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    A Novel SiC Trench MOSFET Embedding Auto-Adjust Source-Potential Region With Switching Oscillation Suppression
    Sun, R. ; Deng, X. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-11-01), Heft 11, S. 1817-1820
    Online academicJournal
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    Fully Light Modulated Self-Powered Optoelectronic Memristor for Neuromorphic Computing
    Lu, C. ; Meng, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-10-01), Heft 10, S. 1784-1787
    Online academicJournal
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    Demonstration of a G-Band High-Power Extended Interaction Klystron
    Qu, Z. ; Zhang, Z. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-10-01), Heft 10, S. 1736-1739
    Online academicJournal
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    Short-Length, High-Efficiency S-Band Coaxial Cavity Relativistic Multibeam Klystron Amplifier for Potential High Power Microwave Application
    Sun, L. ; Huang, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1760-1763
    Online academicJournal
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    A New Device Structure Yttria-Stabilized Zirconia-Based Mixed Potential Gas Sensor for Volatile Organic Compounds Gas Classification
    Wang, B. ; Huang, L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1736-1739
    Online academicJournal
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    Ferroelectric-Semiconductor Tunnel Junction With Ultrathin Semiconductor Electrode Engineering
    Yan, Q. ; Zhou, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1764-1767
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Asymmetric Metal Halide Film With Suppressed Leakage Current for High Sensitive X-Ray Detection and Imaging
    Xu, Y. ; Li, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1709-1712
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Performance Enhancement Method for MEMS Thermopile Pirani Sensors Through In-Situ Integration of Nanoforests
    Xu, S. ; Shi, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1752-1755
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of Reliability Characteristics in NMOS and PMOS FinFETs
    Liao, W. S. ; Liaw, Y. G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-07-01), Heft 7, S. 788-790
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    700-V 1.0-$hboxmOmega cdot hboxcm^2$Buried Gate SiC-SIT (SiC-BGSIT)
    Tanaka, Y. ; Okamoto, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-11-01), Heft 11, S. 908-910
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Short-Channel SOI RF Power LDMOS Technology With$hboxTiSi_2$Salicide on Dual Sidewalls With Cutoff Frequency$f_T sim hbox19.3 hboxGHz$
    Yang, R. ; Li, J.F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-11-01), Heft 11, S. 917-919
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    Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs on p and n-GaN/Sapphire Substrates
    Huang, W. ; Khan, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), Heft 10, S. 796-798
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    430-V 12.4-$hboxmOmegacdot hboxcm^2$Normally off 4H-SiC Lateral JFET
    Su, M. ; Sheng, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), Heft 10, S. 834-836
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High-Linearity Performance of 0.13-$muhboxm$CMOS Devices Using Field-Plate Technology
    Wei, C. C. ; Chiu, H. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), Heft 10, S. 843-845
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    Correlation between inversion layer mobility and surface roughness measured by AFM
    Yamanaka, T. ; Fang, S.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-04-01), Heft 4, S. 178-180
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    Excellent reverse blocking characteristics of high-voltage 4H-SiC Schottky rectifiers with boron-implanted edge termination
    Itoh, A. ; Kimoto, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-03-01), Heft 3, S. 139-141
    Online academicJournal
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    Low-frequency noise behavior of 0.15- mu m gate-length lattice-matched and lattice-mismatched MODFETs on InP substrates
    Thurairaj, M. ; Das, M.B. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 12 (1991-08-01), Heft 8, S. 410-412
    Online academicJournal
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