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    First Demonstration of Frequency-Locked Operation of a 170 GHz/1 MW Gyrotron
    Kuftin, A.N. ; Denisov, G.G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-09-01), Heft 9, S. 1563-1566
    Online academicJournal
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    High-Efficiency GaN/SiC Doubler Terahertz Monolithic Integrated Circuit at 175 GHz
    Zhang, L. ; Gu, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-03-01), Heft 3, S. 376-379
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Experimental Testing of the European TH1509U 170-GHz 1-MW CW Industrial Gyrotron—Long Pulse Operation
    Rzesnicki, T. ; Ioannidis, Z.C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-04-01), Heft 4, S. 623-626
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A 177–183 GHz High-Power GaN-Based Frequency Doubler With Over 200 mW Output Power
    Liang, S. ; Song, X. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), Heft 5, S. 669-672
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    GaN-On-Diamond HEMT Technology With TAVG = 176°C at PDC,max = 56 W/mm Measured by Transient Thermoreflectance Imaging
    Tadjer, M.J. ; Anderson, T.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-06-01), Heft 6, S. 881-884
    Online academicJournal
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    Correction to “Characteristic Length of Macaroni Channel MOSFET” [Nov 19 1720-1723]
    Nguyen-Gia, Q. ; Kang, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-02-01), Heft 2, S. 300-300
    Online academicJournal
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    Corrections to “600 V 4H-SiC MOSFETs Fabricated in Commercial Foundry With Reduced Gate Oxide Thickness of 27 nm to Achieve IGBT-Compatible Gate Drive of 15 V” [Nov 19 1792-1795]
    Agarwal, A. ; Han, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020), Heft 1, S. 195-195
    Online academicJournal
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    Corrections to “In Situ Oxide, GaN Interlayer-Based Vertical Trench MOSFET (OG-FET) on Bulk GaN Substrates’ [Mar 17 353-355]
    Gupta, C. ; Lund, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), Heft 2, S. 316
    Online academicJournal
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    Corrections to “A 3-D Assembled Silicon-Embedded Transformer for 10-MHz, Ultra-High-Isolation, Compact Chip-to-Chip Power Transfer” [Mar 17 356-358]
    Wu, R. ; Liao, N. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), Heft 5, S. 689
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Corrections to “A Novel Tunnel FET Design Through Adaptive Bandgap Engineering With Constant Sub-Threshold Slope Over 5 Decades of Current and High ${I_{{\mathrm {ON}}}}/{I_{{\mathrm {OFF}}}}$ Ratio” [May 17 540-543]
    Zhao, Y. ; Wu, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-04-01), Heft 4, S. 638-638
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    930-V 170-m/spl Omega//spl middot/cm/sup 2/ lateral two-zone RESURF MOSFETs in 4H-SiC with NO annealing
    Wang, W. ; Banerjee, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-04-01), Heft 4, S. 185-187
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 0.8-dB insertion-loss, 17.4-dBm power-handling, 5-GHz transmit/receive switch with DETs in a 0.18-μm CMOS process
    Ohnakado, T. ; Yamakawa, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-03-01), Heft 3, S. 192-194
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    1710-V 2.77-m/spl Omega/cmsub 2 4H-SiC trenched and implanted vertical junction field-effect transistors
    Zhao, J.H. ; Tone, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-02-01), Heft 2, S. 81-83
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High Sensitivity $17~\mu \text{m}$ Pixel Pitch $640\times 512$ Uncooled Infrared Focal Plane Arrays Based on Amorphous Vanadium Oxide Thin Films
    Wang, P. ; Chen, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-09-01), Heft 9, S. 923-923
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    SiGe p-n-p HBTs With 265-GHz f max, 175-GHz f T, and 3.65-ps Gate Delay
    Heinemann, B. ; Rucker, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-08-01), Heft 8, S. 814-814
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    17.3% efficiency metal-oxide-semiconductor (MOS) solar cells with liquid-phase-deposited silicon dioxide
    Lee, Kuo-Chung ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 18 (1997-11-01), Heft 11, S. 565-567
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    Comments on "17.3% efficiency metal-oxide-semiconductor (MOS) solar cells with liquid-phase-deposited silicon dioxide"
    Rohatgi, A. ; Moschner, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 19 (1998-11-01), Heft 11, S. 447-449
    Online academicJournal
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    High efficiency and output power from second- and third-harmonic millimeter-wave InP-TED oscillators at frequencies above 170 GHz
    Rydberg, A.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 11 (1990-10-01), Heft 10, S. 439-441
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    IEEE Electron Devices Society Meetings Calendar for 2009 (As of 17 December 2008)
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-02-01), Heft 2, S. 198-199
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Comments on "17.3% Efficiency Metal-oxide-semiconductor (MOS) Solar Cells With Liquid-phase-deposited Silicon Dioxide"
    Rohatgi, A. ; Moschner, J.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 19 (1998-11-01), Heft 11, S. 447-447
    Online academicJournal
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