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    High Performance Metal-Gate/High- ${\kappa } $ GaN MOSFET With Good Reliability for Both Logic and Power Applications
    Yi, S. ; Ruan, D. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016-09-01), Heft 5, S. 246-246
    academicJournal
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    Normally-off p-GaN Gated AlGaN/GaN HEMTs Using Plasma Oxidation Technique in Access Region
    Liu, X. ; Chiu, H. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 229-234
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Identification of GaN Buffer Traps in Microwave Power AlGaN/GaN HEMTs Through Low Frequency S-Parameters Measurements and TCAD-Based Physical Device Simulations
    Subramani, N.K. ; Couvidat, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-05-01), Heft 3, S. 175-175
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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