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    Operational Characteristics of the 175-GHz Continuous-Wave Clinotron
    Ponomarenko, S. ; Braune, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-11-01), Heft 11, S. 5921-5925
    Online academicJournal
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    Impact of High Temperature Up to 175 °C on the DC and RF Performances of 22-nm FD-SOI MOSFETs
    Halder, A. ; Nyssens, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 4987-4992
    Online academicJournal
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    Long-Term Temperature-Dependent Degradation of 175 W Chip-on-Board LED Modules
    Herzog, A. ; Wagner, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-12-01), Heft 12, S. 6830-6836
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Optimization of 1700-V 4H-SiC Semi-Superjunction Schottky Rectifiers With Implanted P-Pillars for Practical Realization
    Baker, G.W.C. ; Gammon, P.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-04-01), Heft 4, S. 1924-1930
    Online academicJournal
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    Optimization of 1700-V 4H-SiC Superjunction Schottky Rectifiers With Implanted P-Pillars for Practical Realization
    Baker, G.W.C. ; Chan, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3497-3504
    Online academicJournal
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    Multiphysics Modeling of Insert Cooling System for a 170-GHz, 2-MW Long-Pulse Coaxial-Cavity Gyrotron
    Kalaria, P.C. ; George, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 4008-4015
    Online academicJournal
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    Design Studies of a 3-MW, Multifrequency (170/204/236 GHz) DEMO Class Triangular Corrugated Coaxial Cavity Gyrotron
    Yuvaraj, S. ; Kartikeyan, M.V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 702-708
    Online academicJournal
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    Small- and Large-Signal Performance Up To 175 °C of Low-Cost Porous Silicon Substrate for RF Applications
    Rack, M. ; Belaroussi, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-05-01), Heft 5, S. 1887-1895
    Online academicJournal
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    Tolerance Studies on an Inverse Magnetron Injection Gun for a 2-MW 170-GHz Coaxial-Cavity Gyrotron
    Ruess, S. ; Gantenbein, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 3870-3876
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    CW Experiments With the EU 1-MW, 170-GHz Industrial Prototype Gyrotron for ITER at KIT
    Ioannidis, Z.C. ; Rzesnicki, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 3885-3892
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Low-Noise High-Dynamic-Range 17-b 1.3-Megapixel 30-fps CMOS Image Sensor With Column-Parallel Two-Stage Folding-Integration/Cyclic ADC
    Seo, M. W. ; Sawamoto, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 12, S. 3396-3400
    Online academicJournal
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    A Simulation Study of the Switching Times of 22- and 17-nm Gate-Length SOI nFETs on High Mobility Substrates and Si
    Laux, S. E.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-09-01), Heft 9, S. 2304-2320
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Correction to “IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects” [Mar 17 741-752]
    Iwamuro, N. ; Laska, T.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-06-01), Heft 6, S. 2675-2675
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 1.5-V 550-/spl mu/W 176/spl times/144 autonomous CMOS active pixel image sensor
    Cho, Kwang-Bo ; Krymski, A.I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003), Heft 1, S. 96-105
    Online academicJournal
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    Circuit Simulation of Threshold-Voltage Degradation in a-Si:H TFTs Fabricated at 175 $^{\circ}\hbox{C}$
    Shringarpure, R. ; Venugopal, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-07-01), Heft 7, S. 1781-1783
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    A 17.5-GHz 3-bit phase-shift receive MMIC-fabrication and test results
    Gupta, A.K. ; Korpinen, E.V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 37 (1990-05-01), Heft 5, S. 1209-1216
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    Corrections to “a three-dimensional simulation study of the performance of carbon nanotube field-effect transistors with doped reservoirs and realistic geometry” [Aug 06 1782-1788]
    Fiori, G. ; Iannaccone, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-04-01), Heft 4, S. 1094-1095
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    17.8-percent efficiency polycrystalline silicon solar cells
    Narayanan, S. ; Wenham, S.R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 37 (1990-02-01), Heft 2, S. 382-384
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    Errata for “Explicit Analytical Charge and Capacitance Models of Undoped Double-Gate MOSFETs” [Jul 07 1718-1724]
    Moldovan, O. ; Jimenez, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-02-01), Heft 2, S. 701-701
    Online academicJournal
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    The 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD'05)
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-11-01), Heft 11, S. 1940-1940
    Online academicJournal
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