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    Large area, 1.3 kV, 17 A, bipolar junction transistors in 4H-SiC
    Agarwal, A.K. ; Ryu, Sei-Hyung ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 135-138
    Online Konferenz
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    600V-IGBT3: trench field stop technology in 70 /spl mu/m ultra thin wafer technology
    Ruething, H. ; Umbach, F. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 63-66
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    The Earth is mobile-power
    Efland, T.R.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 2-9
    Online Konferenz
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    Recent progress in SiC power device developments and application studies
    Sugawara, Y.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 10-18
    Online Konferenz
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    Electrical and mechanical package design for 4.5kV ultra high power IEGT with 6kA turn-off capability
    Omura, I. ; Domon, T. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 114-117
    Online Konferenz
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    Record-low 4 m/spl Omega//spl middot/mm/sup 2/ specific on-resistance for 20V trench MOSFETs
    in 't Zandt, M.A.A. ; Hijzen, E.A. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 32-35
    Online Konferenz
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    A new 600V lateral PMOS device with a buried conduction layer
    Disney, D.R.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 41-44
    Online Konferenz
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    New anode design concept of 600V thin wafer PT-IGBT with very low dose p-buffer and transparent p-emitter
    Matsudai, T. ; Tsukuda, M. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 75-78
    Online Konferenz
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    A 600V quick punch through (QPT) IGBT design concept for reducing EMI
    Yedinak, J. ; Gladish, J. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 67-70
    Online Konferenz
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    Hot spot dynamics in quasivertical DMOS under ESD stress
    Denison, M. ; Blaho, M. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 80-83
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    ESD robust bipolar transistors with variable trigger and sustaining voltages
    Pendharkar, S. ; Hower, P. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 92-95
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A new 600V PT-IGBT for the improved avalanche energy by employing the floating p-well
    Kim, Soo-Seong ; Yun, Chong-Man ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 71-74
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A high voltage CMOS ADSL line driver
    Ghosh, K.K. ; Salama, C.A.T.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 105-108
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Development and demonstration of silicon carbide (SiC) inverter module in motor drive
    Chang, H. R. ; Hanna, E. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 131-134
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    4H-SiC high power SIJFET module
    Sugawara, Y. ; Takayama, D. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 127-130
    Online Konferenz
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    13-kV rectifiers: studies on diodes and asymmetric thyristors
    Niedernostheide, F. J. ; Schulze, H. J. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 122-125
    Online Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Optimized device concepts for reverse blocking IGBTs
    Kapels, H. ; Drucke, D.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 148-151
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    The reverse blocking IGBT for matrix converter with ultra-thin wafer technology
    Takei, M. ; Naito, T. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 156-159
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    3D-RESURF SOI LDMOSFET for RF power amplifiers
    Pathirana, G.P.V. ; Udrea, F. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 278-281
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Development of a robust 50V 0.35 /spl mu/m based Smart Power Technology using trench isolation
    De Pestel, F. ; Moens, P. ; et al.
    In: ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,, 2003, S. 182-185
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