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    Investigation of Turn-on and Turn-off Characteristics of Enhancement-Mode GaN Power Transistors
    Karakaya, Furkan ; Ugur, Mesut ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
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    Impact of Gate Control on the Switching Performance of a 750A/3300V Dual SiC-Module
    Soltau, N. ; Wiesner, E. ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Concept for an IGBT Desaturation Pulse to Reduce Turn-OFF Losses
    Lexow, D. ; TienTran, Q. ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Driver Stage Implementation with Improved Turn-on and Turn-Off Delay for Wide Band Gap Devices
    Christian Spro, Ole ; Guidi, Giuseppe ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Novel cascode GaN module integrated a single gate driver IC with high switching speed controllability
    Koyama, Masahiro ; Ikeda, Kentaro ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Dead Time as a Correction Variable for Junction Temperature Control
    Ruthardt, J. ; Wolfle, J. ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Impacts of Diode Surge Currents on Reverse Conducting IGBT Controlled by Optimized Gate-Drive Unit
    Lexow, Daniel ; Eckel, Hans-Gunter
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Experiences with Coupling Inductances between Commutation Loop and Gate Circuit in Power Modules
    Spang, Matthias
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    GaN-Based Active Gate-Drive Unit for IGBTs in Medium-Voltage Applications
    Beushausen, Steffen ; Wienhausen, Arne Hendrik ; et al.
    In: 2019 21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE '19 ECCE Europe), 2019-09-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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