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    A 5 kW wideband coupled cavity tube with PPM focusing for 11 GHz to 17 GHz
    Sauseng, O. ; Triplett, M. E.
    In: 1974 International Electron Devices Meeting (IEDM), 1974-12-01, S. 491-493
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Backward wave oscillators for the 17 to 41 KMC band
    Noland, J.A. ; Lepic, R.E.
    In: 1956 International Electron Devices Meeting, 1956, S. 9-10
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Session 17 Integrated circuits — Scaled CMOS
    Fraser, D.L. ; Kokkonen, K.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 449-449
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Session 17 Solid state devices — Compound semiconductor device technology
    Nathanson, H.C.
    In: 1980 International Electron Devices Meeting, 1980, S. 433-433
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Session 17 Quantum electronics and compound semiconductor devices — Pseudomorphic heterostructure FET's
    Kiehl, R. ; Smith, P.
    In: 1987 International Electron Devices Meeting, 1987, S. 409-409
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Session 17 Integrated circuits — Non-volatile memory technology
    Guterman, D.C. ; Hu, C.
    In: 1984 International Electron Devices Meeting, 1984, S. 455-455
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Session 17 Electron tubes — Traveling wave tubes
    Gilmour, A.S., Jr.
    In: 1977 International Electron Devices Meeting, 1977, S. 347-347
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Session 17 Quantum electronics and compound-semiconductor devices — Photodetectors and optical sampling
    Coldren, L. ; Diadiuk, V.
    In: 1985 International Electron Devices Meeting, 1985, S. 457-457
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Session 17 Electron tubes — Slow wave circuits
    Seunik, H.
    In: 1979 International Electron Devices Meeting, 1979, S. 407-407
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Session 17 Quantum electronics and compound-semiconductor devices — III-V heterostructure FET devices
    Cirillo, N., Jr. ; Kiehl, R.
    In: 1986 International Electron Devices Meeting, 1986, S. 439-439
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Session 17 Solid state devices — High voltage power devices
    Yu, H.N. ; Temple, V.A.K.
    In: 1981 International Electron Devices Meeting, 1981, S. 405-405
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Development of a 10-kilowatt 1700-2400 megacycle CW klystron amplifier
    Badger, G.M.W.
    In: 1956 International Electron Devices Meeting, 1956, S. 32-32
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High speed four-bit full adder with resistor coupled Josephson logic
    Sone, J. ; Yoshida, T. ; et al.
    In: 1983 International Electron Devices Meeting, 1983, S. 682-685
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A buried N-grid for protection against radiation induced charge collection in electronic circuits
    Wordeman, M.R. ; Dennard, R.H. ; et al.
    In: 1981 International Electron Devices Meeting, 1981, S. 40-43
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Germanium heterojunction gate GaAs FET
    Anderson, W.T., Jr. ; Davey, J.E. ; et al.
    In: 1978 International Electron Devices Meeting, 1978, S. 290-293
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Stable high temperature tantalum silicide Schottky barrier on gallium arsenide
    Tseng, W.F. ; Christou, A.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 174-176
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    HgCdTe/CdTe mosaics for high temperature operation
    Lanir, M. ; Shin, S.H. ; et al.
    In: 1979 International Electron Devices Meeting, 1979, S. 560-562
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 640 kilopixel CCD imager for space applications
    Blouke, M.M. ; Hall, J.E. ; et al.
    In: 1978 International Electron Devices Meeting, 1978, S. 412-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Reliability of power GaAs field-effect transistors
    Fukui, H. ; Wemple, S.H. ; et al.
    In: 1979 International Electron Devices Meeting, 1979, S. 695-695
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Ohmic contacts to n-GaAs with Germanide overlayers
    Tiwari, S. ; Kuan, Tung-Sheng ; et al.
    In: 1983 International Electron Devices Meeting, 1983, S. 115-118
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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