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    Infrared flash annealing for fabricating GaAs MESFET's
    Kuzuhara, M. ; Kohzu, H. ; et al.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 170-173
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Characteristics of gallium doped silicon infrared detectors
    Pines, M. ; Murphy, D. ; et al.
    In: 1975 International Electron Devices Meeting, 1975, S. 502-505
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Characteristics of indium doped silicon infrared detectors
    Pines, M. Y. ; Baron, R.
    In: 1974 International Electron Devices Meeting (IEDM), 1974-12-01, S. 446-450
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Process and device related scaling considerations for polysilicon emitter bipolar transistors
    Schaber, H. ; Bieger, J. ; et al.
    In: 1987 International Electron Devices Meeting, 1987, S. 170-173
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A 1M SRAM with full CMOS cells fabricated in a 0.7 µm technology
    de Werdt, R. ; van Attekum, P. ; et al.
    In: 1987 International Electron Devices Meeting, 1987, S. 532-535
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Device characteristics for poly I2L
    Davies, R.D. ; Meindl, J.D.
    In: 1977 International Electron Devices Meeting, 1977, S. 170-174
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Characterization of the electron mobility in the inverted Si surface
    Sabnis, A.G. ; Clemens, J.T.
    In: 1979 International Electron Devices Meeting, 1979, S. 18-21
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    1800V bipolar-mode MOSFETs: A first application of silicon wafer direct bonding (SDB) technique to a power device
    Nakagawa, A. ; Watanabe, K. ; et al.
    In: 1986 International Electron Devices Meeting, 1986, S. 122-125
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Fabrication techniques for integrated sensor microstructures
    Guckel, H. ; Burns, D.W.
    In: 1986 International Electron Devices Meeting, 1986, S. 176-179
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A defect-free field isolation technology for high density n-channel MOS LSI's
    Shibata, T. ; Iizuka, H. ; et al.
    In: 1978 International Electron Devices Meeting, 1978, S. 177-180
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Bandgap narrowing in heavily doped silicon
    Lanyon, H.P.D. ; Tuft, R.A.
    In: 1978 International Electron Devices Meeting, 1978, S. 316-319
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A CMOS/SOS electrically alterable read only memory
    Stewart, R.G.
    In: 1978 International Electron Devices Meeting, 1978, S. 344-347
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    The peristaltic charge coupled device
    Esser, L.J.M. ; Collet, M.G. ; et al.
    In: 1973 International Electron Devices Meeting, 1973, S. 17-20
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Improved stability in PbS/Al2O3 thin-film transistors
    Kramer, Gordon
    In: 1974 International Electron Devices Meeting (IEDM), 1974-12-01, S. 573-575
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Characteristics of a PNPN switch with an AL-SI Schottky clamp diode
    Schade, P.A. ; Lin, H.C.
    In: 1972 International Electron Devices Meeting, 1972, S. 174-176
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Review op X-ray lithography technology
    Smith, H. I.
    In: 1974 International Electron Devices Meeting (IEDM), 1974-12-01, S. 17-17
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Sodium distribution in oxide by radiochemical analysis and its effect on silicon surface potential
    Yon, E. ; Ko, W.H. ; et al.
    In: 1965 International Electron Devices Meeting, 1965, S. 62-62
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Quantitative theory of retarded base diffusion in silicon NPN structures with arsenic emitters
    Fair, R.B.
    In: 1972 International Electron Devices Meeting, 1972, S. 96-96
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High-performance millimeter-wave silicon varactors
    Stover, H.L. ; Leedy, H.M. ; et al.
    In: 1972 International Electron Devices Meeting, 1972, S. 174-174
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Ion-implanted depletion-mode IGFET
    Edwards, J.R. ; Marr, G.
    In: 1971 International Electron Devices Meeting, 1971, S. 156-156
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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