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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Backward wave oscillators for the 17 to 41 KMC band
    Noland, J.A. ; Lepic, R.E.
    In: 1956 International Electron Devices Meeting, 1956, S. 9-10
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Development of a 10-kilowatt 1700-2400 megacycle CW klystron amplifier
    Badger, G.M.W.
    In: 1956 International Electron Devices Meeting, 1956, S. 32-32
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Reliability of power GaAs field-effect transistors
    Fukui, H. ; Wemple, S.H. ; et al.
    In: 1979 International Electron Devices Meeting, 1979, S. 695-695
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Characterization and modeling of transient latchup in CHMOS technology
    Hamdy, E. ; Mohsen, A.
    In: 1983 International Electron Devices Meeting, 1983, S. 172-175
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Endurance of thin-oxide nonvolatile MNOS memory transistors
    White, M.H. ; Dzimianski, J.W. ; et al.
    In: 1976 International Electron Devices Meeting, 1976, S. 177-180
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    The triangular barrier switch
    Najjar, F.E. ; Barnard, J.A. ; et al.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 177-180
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A reduced size CMOS SRAM cell structure with two-level Al interconnection
    Kudoh, O. ; Sakai, I. ; et al.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 474-477
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A time-and temperature-dependent simulation of the GTO turn-off process
    Nakagawa, A. ; Navon, D.H.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982, S. 496-499
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A nonlinear theory for a microwave crossed field amplifier
    Thomas, G.E.
    In: 1980 International Electron Devices Meeting, 1980, S. 176-179
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Stacked SiO2/Si3N4/SiO2dielectric layer for reliable memory capacitor
    Watanabe, T. ; Menjoh, A. ; et al.
    In: 1984 International Electron Devices Meeting, 1984, S. 173-176
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Hg diffused Hg1-xCdxTe photodiodes for LWIR direct detection applications
    Briggs, R.J. ; Shanley, J.F.
    In: 1984 International Electron Devices Meeting, 1984, S. 393-396
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Characterization of the electron mobility in the inverted Si surface
    Sabnis, A.G. ; Clemens, J.T.
    In: 1979 International Electron Devices Meeting, 1979, S. 18-21
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    1800V bipolar-mode MOSFETs: A first application of silicon wafer direct bonding (SDB) technique to a power device
    Nakagawa, A. ; Watanabe, K. ; et al.
    In: 1986 International Electron Devices Meeting, 1986, S. 122-125
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High-power, high efficiency wideband TWTs
    Kuntzmann, J.C. ; Nugues, P.
    In: 1986 International Electron Devices Meeting, 1986, S. 171-174
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A CMOS/SOS electrically alterable read only memory
    Stewart, R.G.
    In: 1978 International Electron Devices Meeting, 1978, S. 344-347
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A dual mode electron gun having non-intercepting grids
    Hechtel, J.R. ; Hamak, B.J.
    In: 1973 International Electron Devices Meeting, 1973, S. 171-174
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Multimode injected-beam crossed-field amplifier for coherent airborne radar
    Groshart, G.G. ; Moats, R.R.
    In: 1980 International Electron Devices Meeting, 1980, S. 173-175
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    High voltage dielectric isolation SCR integrated circuit process
    Beasom, J.D.
    In: 1977 International Electron Devices Meeting, 1977, S. 178-180
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Characteristics of a PNPN switch with an AL-SI Schottky clamp diode
    Schade, P.A. ; Lin, H.C.
    In: 1972 International Electron Devices Meeting, 1972, S. 174-176
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Low noise transverse wave electrostatically focused B.W.A. for U.H.F.
    Everett, P.
    In: 1965 International Electron Devices Meeting, 1965, S. 17-18
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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