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    Enhancement-Mode$hboxSi_3hboxN_4hbox/AlGaN/GaN$MISHFETs
    Wang, R. ; Cai, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), Heft 10, S. 793-795
    Online academicJournal
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    650-V Double-Channel Lateral Schottky Barrier Diode With Dual-Recess Gated Anode
    Lei, J. ; Wei, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), Heft 2, S. 260-260
    Online academicJournal
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    Volltext
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    600-V Normally Off ${\rm SiN}_{x}$ /AlGaN/GaN MIS-HEMT With Large Gate Swing and Low Current Collapse
    Tang, Z. ; Jiang, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-11-01), Heft 11, S. 1373-1375
    Online academicJournal
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    Volltext
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    High-Temperature Operation of AlGaN/GaN HEMTs Direct-Coupled FET Logic (DCFL) Integrated Circuits
    Cai, Y. ; Cheng, Z. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-05-01), Heft 5, S. 328-331
    Online academicJournal
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    High-Performance AlGaN/GaN Schottky Diodes With an AlGaN/AlN Buffer Layer
    Lee, G. Y. ; Liu, H. H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), Heft 11, S. 1519-1521
    Online academicJournal
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    Enhanced Output Power of InGaN-Based Light-Emitting Diodes With AlGaN/GaN Two-Dimensional Electron Gas Structure
    Lee, J H.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-05-01), Heft 5, S. 455-457
    Online academicJournal
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    AlGaN/GaN FinFET With Extremely Broad Transconductance by Side-Wall Wet Etch
    Jo, Y. ; Son, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-10-01), Heft 10, S. 1008-1008
    Online academicJournal
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    Performance Enhancement of Flip-Chip Packaged AlGaN/GaN HEMTs Using Active-Region Bumps-Induced Piezoelectric Effect
    Tsai, S. ; Hsu, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-07-01), Heft 7, S. 735-735
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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