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    Highly Sensitive Narrowband AlGaN Solar Blind Ultraviolet Photodetectors Using Polarization Induced Heterojunction Barrier
    Lv, Z. ; Wen, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-04-01), Heft 4, S. 550-553
    Online academicJournal
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    AlScN/GaN HEMTs Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition With 8.4 W/mm Output Power and 48 % Power-Added Efficiency at 30 GHz
    Krause, S. ; Streicher, I. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), Heft 1, S. 17-20
    Online academicJournal
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    BV > 3 kV/VTH = 3.5 V Normally-Off Al0.6Ga0.4N MOSFET With Recessed-Gate and Ferroelectric Gate Dielectric
    Wang, J. ; Zhou, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-12-01), Heft 12, S. 2141-2144
    Online academicJournal
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    Study of Impact of Access Resistance on High-Frequency Performance of AlGaN/GaN HEMTs by Measurements at Low Temperatures
    Nidhi ; Palacios, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-11-01), Heft 11, S. 877-880
    Online academicJournal
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    1000-W Resistive Energy Dissipating Capability Against Inductive Transients Demonstrated in Non-Avalanche AlGaN/GaN Schottky Diode
    Xu, W. ; Zhou, F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), Heft 12, S. 1743-1746
    Online academicJournal
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    A 0.43 V/90 nA/mm Lateral AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode With Plasma-Free Groove Anode Technique
    Zhang, T. ; Li, R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), Heft 12, S. 1747-1750
    Online academicJournal
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    Enhancement-Mode$hboxSi_3hboxN_4hbox/AlGaN/GaN$MISHFETs
    Wang, R. ; Cai, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), Heft 10, S. 793-795
    Online academicJournal
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    Fully Transparent AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Fabricated With Indium-Tin-Oxide Electrodes
    Chang, C. ; Hsu, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-02-01), Heft 2, S. 144-147
    Online academicJournal
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    Low Field Vertical Charge Transport in the Channel and Buffer Layers of GaN-on-Si High Electron Mobility Transistors
    Wach, F. ; Uren, M.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-12-01), Heft 12, S. 1754-1757
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    360 GHz fMAX Graded-Channel AlGaN/GaN HEMTs for mmW Low-Noise Applications
    Moon, J. ; Wong, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-08-01), Heft 8, S. 1173-1176
    Online academicJournal
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    More Than 3000 V Reverse Blocking Schottky-Drain AlGaN-Channel HEMTs With >230 MW/cm2 Power Figure-of-Merit
    Wu, Y. ; Zhang, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-11-01), Heft 11, S. 1724-1727
    Online academicJournal
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    RF Performance of Al0.85Ga0.15N/Al0.70Ga0.30N High Electron Mobility Transistors With 80-nm Gates
    Baca, A.G. ; Klein, B.A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019), Heft 1, S. 17-20
    Online academicJournal
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    High-Mobility Normally OFF Al2O3/AlGaN/GaN MISFET With Damage-Free Recessed-Gate Structure
    Zhang, J. ; He, L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-11-01), Heft 11, S. 1720-1720
    Online academicJournal
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    High-Voltage and Low-Leakage-Current Gate Recessed Normally-Off GaN MIS-HEMTs With Dual Gate Insulator Employing PEALD-${\rm SiN}_{x}$ /RF-Sputtered-${\rm HfO}_{2}$
    Choi, W. ; Seok, O. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-02-01), Heft 2, S. 175-177
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    650-V Double-Channel Lateral Schottky Barrier Diode With Dual-Recess Gated Anode
    Lei, J. ; Wei, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), Heft 2, S. 260-260
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    600-V Normally Off ${\rm SiN}_{x}$ /AlGaN/GaN MIS-HEMT With Large Gate Swing and Low Current Collapse
    Tang, Z. ; Jiang, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-11-01), Heft 11, S. 1373-1375
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    N-Face Metal–Insulator–Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors With AlN Back-Barrier
    Wong, M. H. ; Pei, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-10-01), Heft 10, S. 1101-1104
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Barrier-Layer Scaling of InAlN/GaN HEMTs
    Medjdoub, F. ; Alomari, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-05-01), Heft 5, S. 422-425
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High-Temperature Operation of AlGaN/GaN HEMTs Direct-Coupled FET Logic (DCFL) Integrated Circuits
    Cai, Y. ; Cheng, Z. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-05-01), Heft 5, S. 328-331
    Online academicJournal
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    High-Performance GaN MOSFET With High-$\kappa$ $\hbox{LaAlO}_{3}/\hbox{SiO}_{2}$ Gate Dielectric
    Tsai, C. Y. ; Wu, T. L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 35-37
    Online academicJournal
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