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    Modulation of Ciss of a 4H-SiC Planar MOSFET With a Shorter Sidewall and a Thicker Gate
    Chen, S. ; Liu, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-11-01), Heft 11, S. 1825-1828
    Online academicJournal
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    Fast Switching NO₂-Doped p-Channel Diamond MOSFETs
    Saha, N.C. ; Shiratsuchi, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-05-01), Heft 5, S. 793-796
    Online academicJournal
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    Near Threshold Capacitance Matching in a Negative Capacitance FET With 1 nm Effective Oxide Thickness Gate Stack
    Kwon, D. ; Cheema, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020), Heft 1, S. 179-182
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    600 V 4H-SiC MOSFETs Fabricated in Commercial Foundry With Reduced Gate Oxide Thickness of 27 nm to Achieve IGBT-Compatible Gate Drive of 15 V
    Agarwal, A. ; Han, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-11-01), Heft 11, S. 1792-1795
    Online academicJournal
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    Volltext
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    High-Capacitance-Density ${p}$ -GaN Gate Capacitors for High-Frequency Power Integration
    Tang, G. ; Kwan, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-09-01), Heft 9, S. 1362-1362
    Online academicJournal
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    A Non-Hysteretic Sub-60-mV/decade Subthreshold Slope and ON-Current Boosts in Electrostrictive-Piezoelectric Transistors
    Jana, R.K.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1759-1759
    Online academicJournal
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    Modified Conductance Method for Extraction of Subgap Density of States in a-IGZO Thin-Film Transistors
    Bae, H. ; Jun, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-08-01), Heft 8, S. 1138-1140
    Online academicJournal
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    Band-Bending Effect in the Characterization of Subgap Density-of-States in Amorphous TFTs Through Fully Electrical Techniques
    Lee, H. ; Kim, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-02-01), Heft 2, S. 199-199
    Online academicJournal
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    High-speed frequency dividers using self-aligned AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
    Ishibashi, T. ; Yamauchi, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 8 (1987-05-01), Heft 5, S. 194-196
    Online academicJournal
    Zugriff:
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