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    A New Device Structure Yttria-Stabilized Zirconia-Based Mixed Potential Gas Sensor for Volatile Organic Compounds Gas Classification
    Wang, B. ; Huang, L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1736-1739
    Online academicJournal
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    Ferroelectric-Semiconductor Tunnel Junction With Ultrathin Semiconductor Electrode Engineering
    Yan, Q. ; Zhou, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1764-1767
    Online academicJournal
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    700-V 1.0-$hboxmOmega cdot hboxcm^2$Buried Gate SiC-SIT (SiC-BGSIT)
    Tanaka, Y. ; Okamoto, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-11-01), Heft 11, S. 908-910
    Online academicJournal
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    Gate capacitance attenuation in MOS devices with thin gate dielectrics
    Krisch, K.S. ; Bude, J.D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-11-01), Heft 11, S. 521-524
    Online academicJournal
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    Improvement of brightness uniformity by AC driving scheme for AMOLED display
    Lin, Yen-Chung ; Shieh, H.-P.D.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-11-01), Heft 11, S. 728-730
    Online academicJournal
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    A novel polysilicon thin-film transistor with a p-n-p structured gate electrode
    Min, Byung-Hyuk ; Park, Cheol-Min ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-12-01), Heft 12, S. 560-562
    Online academicJournal
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    Oxynitride gate dielectric grown in nitric oxide (NO): the effect of reoxidation on dielectric reliability of the active edge
    Maiti, B. ; Tobin, P.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-06-01), Heft 6, S. 279-281
    Online academicJournal
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    Numerical analysis for conduction mechanism of thin oxide-nitride-oxide films formed on rough poly-Si
    Matsuo, N. ; Fujiwara, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-02-01), Heft 2, S. 56-58
    Online academicJournal
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    A novel depletion-gate amorphous silicon thin-film transistor
    Wu, B. S. ; Cheng, J. S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 13 (1992), Heft 1, S. 17-19
    Online academicJournal
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    A novel trench-defined MISIM CCD structure for X-ray imaging and other applications
    Fossum, E.R.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 10 (1989-05-01), Heft 5, S. 177-179
    Online academicJournal
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