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    High-Efficiency GaN/SiC Doubler Terahertz Monolithic Integrated Circuit at 175 GHz
    Zhang, L. ; Gu, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-03-01), Heft 3, S. 376-379
    Online academicJournal
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    A 177–183 GHz High-Power GaN-Based Frequency Doubler With Over 200 mW Output Power
    Liang, S. ; Song, X. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), Heft 5, S. 669-672
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    GaN-On-Diamond HEMT Technology With TAVG = 176°C at PDC,max = 56 W/mm Measured by Transient Thermoreflectance Imaging
    Tadjer, M.J. ; Anderson, T.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-06-01), Heft 6, S. 881-884
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Corrections to “In Situ Oxide, GaN Interlayer-Based Vertical Trench MOSFET (OG-FET) on Bulk GaN Substrates’ [Mar 17 353-355]
    Gupta, C. ; Lund, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), Heft 2, S. 316
    Online academicJournal
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    Scaling Study on High-Current Density Low-Dispersion GaN Vertical FinFETs
    Jeong, S. ; Lee, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-05-01), Heft 5, S. 841-844
    Online academicJournal
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    Monolithically Integrated GaN Photodetector and Bootstrapping Transimpedance Amplifier
    Xiong, Y. ; Guan, R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-07-01), Heft 7, S. 1161-1164
    Online academicJournal
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    High-Voltage Regrown Nonpolar ${m}$ -Plane Vertical p-n Diodes: A Step Toward Future Selective-Area-Doped Power Switches
    Monavarian, M. ; Pickrell, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-03-01), Heft 3, S. 387-390
    Online academicJournal
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    Switching of GaN CAVET With Quasi-Monolithic Integrated HEMT Gate Driver
    Basler, M. ; Doring, P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-08-01), Heft 8, S. 1332-1335
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    1200-V GaN-on-Si Quasi-Vertical p-n Diodes
    Guo, X. ; Zhong, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-12-01), Heft 12, S. 2057-2060
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Deep Learning-Based ASM-HEMT I-V Parameter Extraction
    Chavez, F. ; Davis, D.T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1633-1636
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Tungsten-Gated GaN/AlGaN p-FET With Imax > 120 mA/mm on GaN-on-Si
    Chowdhury, N. ; Xie, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-04-01), Heft 4, S. 545-548
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Study of Impact of Access Resistance on High-Frequency Performance of AlGaN/GaN HEMTs by Measurements at Low Temperatures
    Nidhi ; Palacios, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-11-01), Heft 11, S. 877-880
    Online academicJournal
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    High Electron Velocity Submicrometer AlN/GaN MOS-HEMTs on Freestanding GaN Substrates
    Meyer, D. J. ; Deen, D. A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-02-01), Heft 2, S. 199-201
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Improving the Current Spreading by Fe Doping in n-GaN Layer for GaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes
    Su, H. ; Xu, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-09-01), Heft 9, S. 1346-1349
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs on p and n-GaN/Sapphire Substrates
    Huang, W. ; Khan, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), Heft 10, S. 796-798
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Enhancement-Mode$hboxSi_3hboxN_4hbox/AlGaN/GaN$MISHFETs
    Wang, R. ; Cai, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), Heft 10, S. 793-795
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Experimental Demonstration of Charge- Balanced GaN Super-Heterojunction Schottky Barrier Diode Capable of 2.8 kV Switching
    Han, S. ; Song, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-12-01), Heft 12, S. 1758-1761
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Low Field Vertical Charge Transport in the Channel and Buffer Layers of GaN-on-Si High Electron Mobility Transistors
    Wach, F. ; Uren, M.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-12-01), Heft 12, S. 1754-1757
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    360 GHz fMAX Graded-Channel AlGaN/GaN HEMTs for mmW Low-Noise Applications
    Moon, J. ; Wong, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-08-01), Heft 8, S. 1173-1176
    Online academicJournal
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    GaN HEMTs on Si With Regrown Contacts and Cutoff/Maximum Oscillation Frequencies of 250/204 GHz
    Li, L. ; Nomoto, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), Heft 5, S. 689-692
    Online academicJournal
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