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    A Novel Aluminum Electrolytic Capacitor Suitable for High-frequency Power Converters
    Yoshida, Atsushi ; Kuji, Chiaki ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
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    Investigation of Turn-on and Turn-off Characteristics of Enhancement-Mode GaN Power Transistors
    Karakaya, Furkan ; Ugur, Mesut ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    A GaN 500 kHz High Current Active Clamp Phase-Shifted Full-Bridge Converter With Zero-Voltage Switching Over the Entire Line and Load Range
    Heintze, Martin ; Stefan Butzmann, Ing.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Hysteresis Losses in the Output Capacitance of Wide Bandgap and Superjunction Transistors
    Bura, Dennis ; Plum, Thomas ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Modified Modulation Signals for GaN-E-HEMTs Based HERIC Inverter to Improve Reverse Conduction Performance
    Ahmad, Bilal ; Kyyra, Jorma ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Novel cascode GaN module integrated a single gate driver IC with high switching speed controllability
    Koyama, Masahiro ; Ikeda, Kentaro ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    A Comparative Evaluation of an Un-regulated and a Regulated Input Isolated DC-DC Converter using WBG devices
    Ramachandran, Rakesh ; Nymand, Morten
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Power Devices Comparison in Synchronous Half Bridge Topology
    Cacciato, Mario ; Scrimizzi, Filippo ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
    Online Konferenz
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    Very Fast Short Circuit Protection for Gallium-Nitride Power Transistors Based on Printed Circuit Board Integrated Current Sensor
    Acuna, Javier ; Walter, Janes ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
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    Thermal Performance Analysis of GaN-Based High-Power Converters
    Avila, Ander ; Garcia-Bediaga, Asier ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Development of a GaN Based Triple-Active-Bridge for DC Nanogrid
    Delmonte, Nicola ; Cova, Paolo ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High Ratio Bidirectional Hybrid Switched Inductor Converter Using Wide Bandgap Transistors
    Hulea, Dan ; Fahimi, Babak ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Galvanical Isolated Microinverter with GaN Transistors for Photovoltaic Modules
    Hensel, Andreas ; Armbruster, Cornelius ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Analyses of the unbalanced paralleled GaN HEMT transistors
    Sang, Nguyen ; Jeannin, Pierre-Olivier ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Prototyping and testing embedded transformer for 100W 1MHz GaN converter
    Bohnke, M. ; Delette, G. ; et al.
    In: 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'18 ECCE Europe), 2018-09-01, S. 1
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    GaN-Based Active Gate-Drive Unit for IGBTs in Medium-Voltage Applications
    Beushausen, Steffen ; Wienhausen, Arne Hendrik ; et al.
    In: 2019 21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE '19 ECCE Europe), 2019-09-01, S. 1
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