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    Scaling Study on High-Current Density Low-Dispersion GaN Vertical FinFETs
    Jeong, S. ; Lee, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-05-01), Heft 5, S. 841-844
    Online academicJournal
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    AlScN/GaN HEMTs Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition With 8.4 W/mm Output Power and 48 % Power-Added Efficiency at 30 GHz
    Krause, S. ; Streicher, I. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), Heft 1, S. 17-20
    Online academicJournal
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    Improved Stability of GaN MIS-HEMT With 5-nm Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition SiN Gate Dielectric
    Liu, X. ; Zhang, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-09-01), Heft 9, S. 1408-1411
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Tungsten-Gated GaN/AlGaN p-FET With Imax > 120 mA/mm on GaN-on-Si
    Chowdhury, N. ; Xie, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-04-01), Heft 4, S. 545-548
    Online academicJournal
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    High Electron Velocity Submicrometer AlN/GaN MOS-HEMTs on Freestanding GaN Substrates
    Meyer, D. J. ; Deen, D. A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-02-01), Heft 2, S. 199-201
    Online academicJournal
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    Fully Transparent AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Fabricated With Indium-Tin-Oxide Electrodes
    Chang, C. ; Hsu, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-02-01), Heft 2, S. 144-147
    Online academicJournal
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    360 GHz fMAX Graded-Channel AlGaN/GaN HEMTs for mmW Low-Noise Applications
    Moon, J. ; Wong, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-08-01), Heft 8, S. 1173-1176
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Monolithically Integrated GaN LED/Quasi-Vertical Power U-Shaped Trench-Gate MOSFET Pairs Using Selective Epi Removal
    Guo, Z. ; Hitchcock, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-11-01), Heft 11, S. 1736-1739
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    High-Voltage and Low-Leakage-Current Gate Recessed Normally-Off GaN MIS-HEMTs With Dual Gate Insulator Employing PEALD-${\rm SiN}_{x}$ /RF-Sputtered-${\rm HfO}_{2}$
    Choi, W. ; Seok, O. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-02-01), Heft 2, S. 175-177
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High-Speed, Enhancement-Mode GaN Power Switch With Regrown ${\rm n}+$ GaN Ohmic Contacts and Staircase Field Plates
    Brown, D. F. ; Shinohara, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-09-01), Heft 9, S. 1118-1120
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    900 V Reverse-Blocking GaN-on-Si MOSHEMTs With a Hybrid Tri-Anode Schottky Drain
    Ma, J. ; Zhu, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1704-1704
    Online academicJournal
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    High-Performance GaN MOSFET With High-$\kappa$ $\hbox{LaAlO}_{3}/\hbox{SiO}_{2}$ Gate Dielectric
    Tsai, C. Y. ; Wu, T. L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 35-37
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High Performance Tri-Gate GaN Power MOSHEMTs on Silicon Substrate
    Ma, J. ; Matioli, E.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-03-01), Heft 3, S. 367-367
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    220-GHz Quaternary Barrier InAlGaN/AlN/GaN HEMTs
    Wang, R. ; Li, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-09-01), Heft 9, S. 1215-1217
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Electron Velocity Enhancement in Laterally Scaled GaN DH-HEMTs With $f_{T}$ of 260 GHz
    Shinohara, K. ; Regan, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-08-01), Heft 8, S. 1074-1076
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    N-Polar GaN MIS-HEMTs With a 12.1-W/mm Continuous-Wave Output Power Density at 4 GHz on Sapphire Substrate
    Kolluri, S. ; Keller, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-05-01), Heft 5, S. 635-637
    Online academicJournal
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