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    Linking Experimental Characterization and Computational Modeling of Grain Growth in Al-Foil.
    Demirel, Melik ; Kuprat, Andrew ; et al.
    In: Interface Science, Jg. 10 (2002-07-01), Heft 2/3, S. 137-141
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    Faceting of Σ3 and Σ9 Grain Boundaries in Copper.
    Straumal, B.B. ; Polyakov, S.A. ; et al.
    In: Interface Science, Jg. 9 (2001-11-01), Heft 3/4, S. 287-292
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    Faceting and Roughening of the Asymmetric Twin Grain Boundaries in Zinc.
    Straumal, B.B. ; Sursaeva, V.G. ; et al.
    In: Interface Science, Jg. 9 (2001-11-01), Heft 3/4, S. 275-279
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    On the Relationship Between Entropy and Enthalpy of Grain Boundary Segregation.
    Lejček, Pavel ; Hofmann, Siegfried
    In: Interface Science, Jg. 9 (2001-11-01), Heft 3/4, S. 221-230
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    Modification of Electrical Activity of Grain Boundaries in EFG Silicon Under Influence of Hydrogen Plasma.
    Fedotov, A. ; Mazanik, A. ; et al.
    In: Interface Science, Jg. 9 (2001-11-01), Heft 3/4, S. 169-173
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    Atomic Structure and Properties of the (310) Symmetrical Tilt Grain Boundary (STGB) in SrTiO3. Part I: Atomistic Simulations.
    Ravikumar, V. ; Dravid, V.P. ; et al.
    In: Interface Science, Jg. 8 (2000-08-01), Heft 2/3, S. 157-175
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    Analysis of a 69.3° Vicinal HAGB in Pure Titanium.
    Wang, S. ; Aindow, M.
    In: Interface Science, Jg. 8 (2000), Heft 1, S. 17-25
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    The Compensation Effect in Thermally Activated Interface Processes.
    Gottstein, G. ; Shvindlerman, L.S.
    In: Interface Science, Jg. 6 (1998-12-01), Heft 4, S. 267-278
    Online serialPeriodical
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    Thermodynamics of Vacancies and Impurities at Grain Boundaries.
    Shvindlerman, L.S. ; Faulkner, R.G.
    In: Interface Science, Jg. 6 (1998-07-01), Heft 3, S. 213-224
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    The Migration of High Angle Grain Boundaries during Recrystallization.
    Vandermeer, R.A. ; Juul Jensen, D.
    In: Interface Science, Jg. 6 (1998-02-01), Heft 1/2, S. 95-104
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Grain Boundary Channel Formation During Interdiffusion in Alloys.
    Paritskaya, Lyudmila ; Bogdanov, Valeri ; et al.
    In: Interface Science, Jg. 10 (2002-12-01), Heft 4, S. 297-302
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Grain Boundary Diffusion in C<subscript>60</subscript> Thin Films.
    Katz, E.A. ; Tuladhar, S.M. ; et al.
    In: Interface Science, Jg. 9 (2001-11-01), Heft 3/4, S. 331-335
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    Compensation Effect for the Kinetic Properties of Triple Junctions.
    Sursaeva, V. ; Protasova, S.
    In: Interface Science, Jg. 9 (2001-11-01), Heft 3/4, S. 319-322
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    Electronic Structure of a Bi-Doped Σ = 13 Tilt Grain Boundary in ZnO.
    Carlsson, Johan ; Domingos, Helder ; et al.
    In: Interface Science, Jg. 9 (2001-11-01), Heft 3/4, S. 143-148
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    Effects of Surface Anisotropy on Grain Boundary Grooving.
    Klinger, L. ; Rabkin, E.
    In: Interface Science, Jg. 9 (2001-04-01), Heft 1/2, S. 55-63
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Grain Boundary Grooving as an Indicator of Grain Boundary Phase Transformations.
    Schölhammer, Jochen ; Baretzky, Brigitte ; et al.
    In: Interface Science, Jg. 9 (2001-04-01), Heft 1/2, S. 43-53
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Correlation of Grain Boundary Character with Wetting Behavior.
    Takashima, M. ; Wynblatt, P. ; et al.
    In: Interface Science, Jg. 8 (2000-10-01), Heft 4, S. 351-361
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Atomic Structure and Properties of the (310) Symmetrical Tilt Grain Boundary (STGB) in SrTiO3 Part II: Comparison with Experimental Studies.
    Dravid, Vinayak ; Ravikumar, V.
    In: Interface Science, Jg. 8 (2000-08-01), Heft 2/3, S. 177-187
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    The Relation Between Barrier Structure and Current Uniformity in YBCO Josephson Junctions.
    Carmody, M. ; Merkle, K.L. ; et al.
    In: Interface Science, Jg. 8 (2000-08-01), Heft 2/3, S. 231-242
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Static and Dynamic Electron Holography of Electrically Active Grain Boundaries in SrTiO3.
    Johnson, Kevin ; Dravid, Vinayak
    In: Interface Science, Jg. 8 (2000-08-01), Heft 2/3, S. 189-198
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