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    1700V Si-IGBT and SiC-SBD hybrid module for AC690V inverter system
    Wang, Haining ; Ikawa, O. ; et al.
    In: 2014 International Power Electronics Conference (IPEC-Hiroshima 2014 - ECCE ASIA), 2014-05-01, S. 3702-3706
    Online Konferenz
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    High Switching Performance of 1700-V, 50-A SiC Power MOSFET Over Si IGBT/BiMOSFET for Advanced Power Conversion Applications
    Hazra, S. ; De, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Power Electronics, Jg. 31 (2016-07-01), Heft 7, S. 4742-4742
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Requirements to change from IGBT to Full SiC modules in an on-board railway power supply
    Marz, Andreas ; Horff, Roman ; et al.
    In: 2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), 2015-09-01, S. 1-10
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of parasitic turn-ON in silicon IGBT and Silicon Carbide MOSFET devices: A technology evaluation
    Jahdi, Saeed ; Alatise, Olayiwola ; et al.
    In: 2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), 2015-09-01, S. 1-8
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Physics-based modelling and experimental characterisation of parasitic turn-on in IGBTs
    Bonyadi, Roozbeh ; Alatise, Olayiwola ; et al.
    In: 2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), 2015-09-01, S. 1-9
    Online Konferenz
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    Operation of single-chip mosfet and igbt devices after failure due to repetitive avalanche
    Blinov, Andrei ; Norrga, Staffan ; et al.
    In: 2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), 2015-09-01, S. 1-9
    Online Konferenz
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    A four-level π-type converter for low-voltage applications
    Yuan, Xibo
    In: 2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), 2015-09-01, S. 1-10
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    Switching speed limitations of high power IGBT modules
    Incau, Bogdan Ioan ; Trintis, Ionut ; et al.
    In: 2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), 2015-09-01, S. 1-8
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    Recent advancements in IGCT technologies for high power electronics applications
    Vemulapati, Umamaheswara ; Rahimo, Munaf ; et al.
    In: 2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), 2015-09-01, S. 1-10
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    Performances/efficiency analysis for high efficiency three-phase buck-type PFC rectifiers
    Olarescu, Nicola-Valeriu ; Ancuti, Mihaela-Codruta ; et al.
    In: 2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), 2015-09-01, S. 1-9
    Online Konferenz
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    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Evaluation of Current, Delay, and Temperature Influence and Diode Selection on the Switching Behavior of a SiC/Si Hybrid Switch
    Amler, Adrian ; Heckel, Thomas ; et al.
    In: 2024 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2024-02-25, S. 1775-1782
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Analysis of switching properties of different high voltage IGBTs operating under hard-switching conditions
    Blinov, A. ; Jalakas, T. ; et al.
    In: 2010 12th Biennial Baltic Electronics Conference, 2010-10-01, S. 323-326
    Online Konferenz
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    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Bipolar Static Induction Transistor With Insulated Gate
    Colalongo, L. ; Richelli, A.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-04-01), Heft 4, S. 1763-1768
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Conduction Performance Evaluation of Silicon and SiC Power Semiconductors for Solid-State DC Breakers
    Giannakis, A. ; Peftitsis, D.
    In: IEEE Access, Jg. 10 (2022), S. 92651-92662
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Comparison of Short-Circuit Safe Operating Areas Between the Conventional Field-Stop IGBT and the Superjunction Field-Stop IGBT
    Wang, Z. ; Lin, Z. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 146-151
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Cost and space effective IGBT gate drive circuit for bi-directional switch of matrix converter
    Sokolovs, A. ; Galkin, I.
    In: 2008 11th International Biennial Baltic Electronics Conference, 2008-10-01, S. 293
    Online Konferenz
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    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Switching Parameters Characterization of Aged IGBTs by Thermo-Electrical Overstress
    Dimech, Evan ; Dawson, John Frederick
    In: IECON 2019 - 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, Jg. 1 (2019-10-01), S. 4648-4653
    Online Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Design of an IGBT-series-based Solid-State Circuit Breaker for Battery Energy Storage System Terminal in Solid-State Transformer
    Wang, Rui ; Zhang, Biao ; et al.
    In: IECON 2019 - 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, Jg. 1 (2019-10-01), S. 6677-6682
    Online Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    IGBT with superior long-term switching behavior by asymmetric trench oxide
    Sandow, C. ; Brandt, P. ; et al.
    In: 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2018-05-01, S. 24-27
    Online Konferenz
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    Volltext
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    SiC trench IGBT with diode-clamped p-shield for oxide protection and enhanced conductivity modulation
    Wei, Jin ; Zhang, Meng ; et al.
    In: 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2018-05-01, S. 411-414
    Online Konferenz
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    Volltext
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