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    Sub-100 nm Self-Aligned Top-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors With Gate Insulator of 4 nm Atomic-Layer-Deposited AlOx
    Zhang, Y. ; Li, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-03-01), Heft 3, S. 444-447
    Online academicJournal
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    High Speed and Wider Swing, Level Shifter Using Low-Temperature Poly-Silicon Oxide TFTs
    Rahaman, A. ; Jeong, D.Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-11-01), Heft 11, S. 1772-1775
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High-Voltage and Low-Leakage-Current Gate Recessed Normally-Off GaN MIS-HEMTs With Dual Gate Insulator Employing PEALD-${\rm SiN}_{x}$ /RF-Sputtered-${\rm HfO}_{2}$
    Choi, W. ; Seok, O. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-02-01), Heft 2, S. 175-177
    Online academicJournal
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    A Non-Hysteretic Sub-60-mV/decade Subthreshold Slope and ON-Current Boosts in Electrostrictive-Piezoelectric Transistors
    Jana, R.K.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1759-1759
    Online academicJournal
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    High-Speed E-Mode InAs QW MOSFETs With $\hbox{Al}_{2} \hbox{O}_{3}$ Insulator for Future RF Applications
    Kim, D. H. ; Kim, T. W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-02-01), Heft 2, S. 196-198
    Online academicJournal
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    Undoped and Doped Junctionless FETs: Source/Drain Contacts and Immunity to Random Dopant Fluctuation
    Chen, L. ; Hsieh, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-06-01), Heft 6, S. 708-708
    Online academicJournal
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    Low-Operating-Voltage Pentacene-Based Transistors and Inverters With Solution-Processed Barium Zirconate Titanate Insulators
    Wei, C. Y. ; Huang, W. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-12-01), Heft 12, S. 1755-1757
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Analysis of Improved Performance Under Negative Bias Illumination Stress of Dual Gate Driving a-IGZO TFT by TCAD Simulation
    Billah, M.M. ; Chowdhury, M.D.H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-06-01), Heft 6, S. 735-735
    Online academicJournal
    Zugriff:
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