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    AlScN/GaN HEMTs Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition With 8.4 W/mm Output Power and 48 % Power-Added Efficiency at 30 GHz
    Krause, S. ; Streicher, I. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), Heft 1, S. 17-20
    Online academicJournal
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    Fully Transparent AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Fabricated With Indium-Tin-Oxide Electrodes
    Chang, C. ; Hsu, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-02-01), Heft 2, S. 144-147
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    360 GHz fMAX Graded-Channel AlGaN/GaN HEMTs for mmW Low-Noise Applications
    Moon, J. ; Wong, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-08-01), Heft 8, S. 1173-1176
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    RF Performance of Al0.85Ga0.15N/Al0.70Ga0.30N High Electron Mobility Transistors With 80-nm Gates
    Baca, A.G. ; Klein, B.A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019), Heft 1, S. 17-20
    Online academicJournal
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    High-Mobility Normally OFF Al2O3/AlGaN/GaN MISFET With Damage-Free Recessed-Gate Structure
    Zhang, J. ; He, L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-11-01), Heft 11, S. 1720-1720
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    High-Voltage and Low-Leakage-Current Gate Recessed Normally-Off GaN MIS-HEMTs With Dual Gate Insulator Employing PEALD-${\rm SiN}_{x}$ /RF-Sputtered-${\rm HfO}_{2}$
    Choi, W. ; Seok, O. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-02-01), Heft 2, S. 175-177
    Online academicJournal
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    600-V Normally Off ${\rm SiN}_{x}$ /AlGaN/GaN MIS-HEMT With Large Gate Swing and Low Current Collapse
    Tang, Z. ; Jiang, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-11-01), Heft 11, S. 1373-1375
    Online academicJournal
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    High-Performance GaN MOSFET With High-$\kappa$ $\hbox{LaAlO}_{3}/\hbox{SiO}_{2}$ Gate Dielectric
    Tsai, C. Y. ; Wu, T. L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 35-37
    Online academicJournal
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    Schottky Source/Drain InAlN/AlN/GaN MISHEMT With Enhanced Breakdown Voltage
    Zhou, Q. ; Chen, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 38-40
    Online academicJournal
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    High-Performance AlGaN/GaN Schottky Diodes With an AlGaN/AlN Buffer Layer
    Lee, G. Y. ; Liu, H. H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), Heft 11, S. 1519-1521
    Online academicJournal
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    220-GHz Quaternary Barrier InAlGaN/AlN/GaN HEMTs
    Wang, R. ; Li, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-09-01), Heft 9, S. 1215-1217
    Online academicJournal
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    N-Polar GaN MIS-HEMTs With a 12.1-W/mm Continuous-Wave Output Power Density at 4 GHz on Sapphire Substrate
    Kolluri, S. ; Keller, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-05-01), Heft 5, S. 635-637
    Online academicJournal
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    AlGaN/GaN FinFET With Extremely Broad Transconductance by Side-Wall Wet Etch
    Jo, Y. ; Son, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-10-01), Heft 10, S. 1008-1008
    Online academicJournal
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