Zum Hauptinhalt springen
Hochschulbibliothek der Hochschule Düsseldorf

Suchergebnisse

Katalog

Mehr
23 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Inhaltsanbieter

23 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Scaling Study on High-Current Density Low-Dispersion GaN Vertical FinFETs
    Jeong, S. ; Lee, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-05-01), Heft 5, S. 841-844
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Switching of GaN CAVET With Quasi-Monolithic Integrated HEMT Gate Driver
    Basler, M. ; Doring, P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-08-01), Heft 8, S. 1332-1335
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Tungsten-Gated GaN/AlGaN p-FET With Imax > 120 mA/mm on GaN-on-Si
    Chowdhury, N. ; Xie, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-04-01), Heft 4, S. 545-548
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    High Electron Velocity Submicrometer AlN/GaN MOS-HEMTs on Freestanding GaN Substrates
    Meyer, D. J. ; Deen, D. A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-02-01), Heft 2, S. 199-201
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    360 GHz fMAX Graded-Channel AlGaN/GaN HEMTs for mmW Low-Noise Applications
    Moon, J. ; Wong, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-08-01), Heft 8, S. 1173-1176
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    GaN HEMTs on Si With Regrown Contacts and Cutoff/Maximum Oscillation Frequencies of 250/204 GHz
    Li, L. ; Nomoto, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), Heft 5, S. 689-692
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Monolithically Integrated GaN LED/Quasi-Vertical Power U-Shaped Trench-Gate MOSFET Pairs Using Selective Epi Removal
    Guo, Z. ; Hitchcock, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-11-01), Heft 11, S. 1736-1739
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High-Mobility Normally OFF Al2O3/AlGaN/GaN MISFET With Damage-Free Recessed-Gate Structure
    Zhang, J. ; He, L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-11-01), Heft 11, S. 1720-1720
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    High-Voltage and Low-Leakage-Current Gate Recessed Normally-Off GaN MIS-HEMTs With Dual Gate Insulator Employing PEALD-${\rm SiN}_{x}$ /RF-Sputtered-${\rm HfO}_{2}$
    Choi, W. ; Seok, O. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-02-01), Heft 2, S. 175-177
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    600-V Normally Off ${\rm SiN}_{x}$ /AlGaN/GaN MIS-HEMT With Large Gate Swing and Low Current Collapse
    Tang, Z. ; Jiang, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-11-01), Heft 11, S. 1373-1375
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High-Speed, Enhancement-Mode GaN Power Switch With Regrown ${\rm n}+$ GaN Ohmic Contacts and Staircase Field Plates
    Brown, D. F. ; Shinohara, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-09-01), Heft 9, S. 1118-1120
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    900 V Reverse-Blocking GaN-on-Si MOSHEMTs With a Hybrid Tri-Anode Schottky Drain
    Ma, J. ; Zhu, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1704-1704
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    GaN DHFETs Having 48% Power Added Efficiency and 57% Drain Efficiency at $V$ -Band
    Micovic, M. ; Brown, D.F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1708-1708
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High-Performance GaN MOSFET With High-$\kappa$ $\hbox{LaAlO}_{3}/\hbox{SiO}_{2}$ Gate Dielectric
    Tsai, C. Y. ; Wu, T. L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 35-37
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Schottky Source/Drain InAlN/AlN/GaN MISHEMT With Enhanced Breakdown Voltage
    Zhou, Q. ; Chen, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 38-40
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High Performance Tri-Gate GaN Power MOSHEMTs on Silicon Substrate
    Ma, J. ; Matioli, E.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-03-01), Heft 3, S. 367-367
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High-Performance AlGaN/GaN Schottky Diodes With an AlGaN/AlN Buffer Layer
    Lee, G. Y. ; Liu, H. H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), Heft 11, S. 1519-1521
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    220-GHz Quaternary Barrier InAlGaN/AlN/GaN HEMTs
    Wang, R. ; Li, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-09-01), Heft 9, S. 1215-1217
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Electron Velocity Enhancement in Laterally Scaled GaN DH-HEMTs With $f_{T}$ of 260 GHz
    Shinohara, K. ; Regan, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-08-01), Heft 8, S. 1074-1076
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    N-Polar GaN MIS-HEMTs With a 12.1-W/mm Continuous-Wave Output Power Density at 4 GHz on Sapphire Substrate
    Kolluri, S. ; Keller, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-05-01), Heft 5, S. 635-637
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?

Weitere Bibliothekskataloge

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -