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    Vertical MoSe2–WSe2 p-n Heterojunctions Grown by One-Pot Chemical Vapor Deposition for Ultrafast Photodetection
    Chen, J. ; Gao, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1776-1779
    Online academicJournal
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    Tungsten-Gated GaN/AlGaN p-FET With Imax > 120 mA/mm on GaN-on-Si
    Chowdhury, N. ; Xie, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-04-01), Heft 4, S. 545-548
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    High-Interface-Quality Hf-Based Gate Stacks on Si0.5Ge0.5 Through Aluminum Capping
    Lee, M. ; Lee, W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), Heft 12, S. 1723-1726
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Tightly Stacked 3D Diamond-Shaped Ge Nanowire Gate-All-Around FETs With Superior nFET and pFET Performance
    Lin, Y. ; Chang, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), Heft 12, S. 1727-1730
    Online academicJournal
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    A Non-Hysteretic Sub-60-mV/decade Subthreshold Slope and ON-Current Boosts in Electrostrictive-Piezoelectric Transistors
    Jana, R.K.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1759-1759
    Online academicJournal
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    High Hole-Mobility Strained-$\hbox{Ge/Si}_{0.6} \hbox{Ge}_{0.4}$ P-MOSFETs With High-K/Metal Gate: Role of Strained-Si Cap Thickness
    Hashemi, P. ; Hoyt, J. L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-02-01), Heft 2, S. 173-175
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    Double Contacts for Improved Performance of Graphene Transistors
    Franklin, A. D. ; Han, S. J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 17-19
    Online academicJournal
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    Top-Gated Graphene Field-Effect Transistors Using Graphene on Si (111) Wafers
    Moon, J. S. ; Curtis, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-11-01), Heft 11, S. 1193-1195
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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