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    Monolithic integration of GaAs/AlGaAs LED and Si driver circuit
    Choi, H.K. ; Mattia, J.P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 9 (1988-10-01), Heft 10, S. 512-514
    Online academicJournal
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    Temperature-Oriented Experiment and Simulation as Corroborating Evidence of MOSFET Backscattering Theory
    Chen, M. J. ; Yan, S. G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-02-01), Heft 2, S. 177-179
    Online academicJournal
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    A 20-V CMOS-Based Monolithic Bidirectional Power Switch
    Fu, Y. ; Cheng, X. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-02-01), Heft 2, S. 174-176
    Online academicJournal
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    Effect of polysilicon gate type on the flatband voltage shift for ultrathin oxide-nitride gate stacks
    Wang, Zhigang ; Parker, C.G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000-04-01), Heft 4, S. 170-172
    Online academicJournal
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    Sinusoidal AC stressing of thin-gate oxides and oxide/silicon interfaces in 0.5-μm n-MOSFETs
    Trabzon, L. ; Awadelkarim, O.O. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-12-01), Heft 12, S. 569-571
    Online academicJournal
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    A novel polysilicon thin-film transistor with a p-n-p structured gate electrode
    Min, Byung-Hyuk ; Park, Cheol-Min ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-12-01), Heft 12, S. 560-562
    Online academicJournal
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    On the accuracy and efficiency of substrate current calculations for sub-μm n-MOSFET's
    Jungemann, C. ; Yamaguchi, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-10-01), Heft 10, S. 464-466
    Online academicJournal
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    Re-evaluation of the benefits of postoxidation annealing on sub-100 /spl Aring/ gate oxide quality
    Ajuria, S.A. ; Maiti, B. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-06-01), Heft 6, S. 282-284
    Online academicJournal
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    The impact of device scaling and power supply change on CMOS gate performance
    Chen, Kai ; Wann, H.C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-05-01), Heft 5, S. 202-204
    Online academicJournal
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    Measurement of transient effects in SOI DRAM/SRAM access transistors
    Wei, A. ; Antoniadis, D.A.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-05-01), Heft 5, S. 193-195
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effects of Fowler-Nordheim stress on interface trap density and emission cross sections in n-MOSFETs studied by three-level charge pumping
    Yuan, Xiao-Jie ; Kivi, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-05-01), Heft 5, S. 239-241
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Gate length effect on the RTS noise amplitude in SOI MOSFETs
    Simoen, E. ; Claeys, C.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-04-01), Heft 4, S. 181-183
    Online academicJournal
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    An accurate semi-empirical saturation drain current model for LDD n-MOSFET
    Chen, Kai ; Wann, H.C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-03-01), Heft 3, S. 145-147
    Online academicJournal
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    Comparative analysis of hot electron injection and induced device degradation in scaled 0.1 μm SOI n-MOSFETs using Monte Carlo simulation
    Hulfachor, R.B. ; Kim, K.W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-02-01), Heft 2, S. 53-55
    Online academicJournal
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    History dependence of output characteristics of silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs
    Jenkins, K.A. ; Sun, J.Y. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996), Heft 1, S. 7-9
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