Zum Hauptinhalt springen
Hochschulbibliothek der Hochschule Düsseldorf

Suchergebnisse

Katalog

Mehr
10 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Publikation

Inhaltsanbieter

10 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Impact of Device Aging on Early Mode Failures in Pulsed Latches
    Shukla, Ankur ; Rao, Rahul M. ; et al.
    In: 2018 31st International Conference on VLSI Design and 2018 17th International Conference on Embedded Systems (VLSID), 2018, S. 256-260
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Effect of gate length on Negative Bias Temperature Instability of 32nm advanced technology HKMG PMOSFET
    Alimin, A. F. Muhammad ; Hatta, S. F. Wan Muhamad ; et al.
    In: 2016 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE), 2016-08-01, S. 272-275
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Does NBTI effect in MOS transistors depend on channel length?
    Benabdelmoumene, A. ; Djezzar, B. ; et al.
    In: 2014 26th International Conference on Microelectronics (ICM), 2014-12-01, S. 52-55
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Reliability modeling of HK MG technologies
    Nigam, Tanya ; Kerber, Andreas
    In: Proceedings of the IEEE 2014 Custom Integrated Circuits Conference, 2014-09-01, S. 1-8
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    HTOL SRAM Vmin shift considerations in scaled HKMG technologies
    Balasubramanian, S. ; Joshi, V. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 2014 Custom Integrated Circuits Conference, 2014-09-01, S. 1-4
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A Fast $V_{th}$ Measurement (FVM) Technique for NBTI Behavior Characterization
    Yu, X. ; Cheng, R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), Heft 2, S. 172-172
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Fundamental study of the apparent voltage-dependence of NBTI kinetics by constant electric field stress in Si and SiGe devices
    Mukhopadhyay, S. ; Franco, J. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Device breakdown optimization of AhOs/GaN MISFETs
    Kang, X. ; Wellekens, D. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2016-04-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Origin of Initial Rapid Cell Current Reduction in Non-Volatile One-Time Programming Memory
    Wu, C. ; Shih, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-02-01), Heft 2, S. 176-176
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    New insights on strained SiGe channels pFET NBTI reliability
    Ndiaye, C. ; Biavaix, A. ; et al.
    In: 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2017-04-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?

Weitere Bibliothekskataloge

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -