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11.082 Treffer

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    A Novel 1-bit Fast and Low Power 17-T Full Adder Circuit
    Gupta, Kripi ; Tiwari, Ravindra ; et al.
    In: 2024 IEEE International Students' Conference on Electrical, Electronics and Computer Science (SCEECS), 2024-02-24, S. 1-5
    Online Konferenz
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    A 6-in Integrated Emitter Turn-OFF Thyristor With 17.5 kA Turn-OFF Current
    Shang, J. ; Chen, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Power Electronics, Jg. 38 (2023-07-01), Heft 7, S. 8419-8429
    Online academicJournal
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    Multi-layer ceramic based surface mount device packaging for 1200 V and 1700 V SiC SBD power semiconductors
    Jung, Dong Yun ; Jang, Hyun Gyu ; et al.
    In: 2020 IEEE International Conference on Consumer Electronics - Asia (ICCE-Asia), 2020-11-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    An Overview of Physical Layer Design for Ultra-Reliable Low-Latency Communications in 3GPP Releases 15, 16, and 17
    Le, T. ; Salim, U. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 433-444
    Online academicJournal
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    Design of 17-Level Inverter with Reduced Switch Count
    Nyamathulla, Shaik ; C, Dhanamjayulu
    In: 2021 Innovations in Power and Advanced Computing Technologies (i-PACT), 2021-11-27, S. 1-8
    Online Konferenz
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    High-Throughput Low Power Area Efficient 17-bit 2’s Complement Multilayer Perceptron Components and Architecture for on-Chip Machine Learning in Implantable Devices
    James Romaine, B. ; Martin, M.P.
    In: IEEE Access, Jg. 10 (2022), S. 92516-92531
    Online academicJournal
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    Design of a Novel Lead-Free Perovskite Solar Cell for 17.83% Efficiency
    Moiz, S.A. ; Alahmadi, A.N.M. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 54254-54263
    Online academicJournal
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    Super-Gain-Boosted AB-AB Fully Differential Miller Op-Amp With 156dB Open-Loop Gain and 174MV/V MHZ pF/μW Figure of Merit in 130nm CMOS Technology
    Paul, A. ; Ramirez-Angulo, J. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 57603-57617
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Asymmetrical 17-Level Inverter Topology With Reduced Total Standing Voltage and Device Count
    Arif, M.S.B. ; Mustafa, U. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 69710-69723
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Design and Analysis of wide tuning range (17-35) GhZ LC VCO for K and K Band applications using 180 nm CMOS Technology
    Das, Keshab ; Jana, Sanjay Kumar
    In: 2019 IEEE 5th International Conference for Convergence in Technology (I2CT), 2019-03-01, S. 1-5
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 17.6-nW 35.7-ppm/°C Temperature Coefficient All-SVT-MOSFET Subthreshold Voltage Reference in Standard 0.18-μm N-Well CMOS
    Tong, X. ; Yang, A. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 8 (2020), S. 94043-94053
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Monolithic Single PMUT-on-CMOS Ultrasound System With +17 dB SNR for Imaging Applications
    Zamora, I. ; Ledesma, E. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 8 (2020), S. 142785-142794
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Girth Analysis of Tanner’s (3, 17)-Regular QC-LDPC Codes Based on Euclidean Division Algorithm
    Xu, H. ; Duan, Y. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 7 (2019), S. 94917-94930
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Network Design & Improvement, Using Riverbed Academic Edition, Version 17.5 in University of Technology, Jamaica
    Udeagha, Christopher ; Clarke, A. ; et al.
    In: SoutheastCon 2018, 2018-04-01, S. 1-8
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Path loss model for outdoor environment at 17 GHz mm-wave band
    Al-Samman, Ahmed M. ; Rahman, Tharek A. ; et al.
    In: 2016 IEEE 12th International Colloquium on Signal Processing & Its Applications (CSPA), 2016-03-01, S. 179-182
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Study on annealing effects of irradiated Ga0.5In0.5P/GaAs/Ge solar cell by 170 keV proton
    Yue, Long ; Wu, Yiyong ; et al.
    In: 2014 10th International Conference on Reliability, Maintainability and Safety (ICRMS), 2014-08-01, S. 82-85
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High Switching Performance of 1700-V, 50-A SiC Power MOSFET Over Si IGBT/BiMOSFET for Advanced Power Conversion Applications
    Hazra, S. ; De, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Power Electronics, Jg. 31 (2016-07-01), Heft 7, S. 4742-4742
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Corrections to “Model Predictive Control With Common-Mode Voltage Injection for Modular Multilevel Converter” [Mar 17 1767-1778]
    Dekka, A. ; Wu, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Power Electronics, Jg. 34 (2019-05-01), Heft 5, S. 5007-5008
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    New 1700V SPT+ IGBT and diode chip set with 175°C operating junction temperature
    Corvasce, C. ; Kopta, A. ; et al.
    In: Proceedings of the 2011 14th European Conference on Power Electronics and Applications, 2011-08-01, S. 1-10
    Online Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Development and evaluation of a high resolution CMOS Image Sensor with 17 μm × 17 μm pixel size for X-ray imaging
    Bae, Jun Hyung ; Kim, Jongyul ; et al.
    In: IEEE Nuclear Science Symposuim & Medical Imaging Conference, 2010-10-01, S. 1062-1066
    Online Konferenz
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