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    High-Efficiency GaN/SiC Doubler Terahertz Monolithic Integrated Circuit at 175 GHz
    Zhang, L. ; Gu, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-03-01), Heft 3, S. 376-379
    Online academicJournal
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    Deep Learning-Based ASM-HEMT I-V Parameter Extraction
    Chavez, F. ; Davis, D.T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1633-1636
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    GaN DHFETs Having 48% Power Added Efficiency and 57% Drain Efficiency at $V$ -Band
    Micovic, M. ; Brown, D.F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1708-1708
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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