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    From Lab to Fab: ZERO defect challenges and practices in GaN RF Power mass production phase
    Tao, Guoqiao
    In: 2020 17th China International Forum on Solid State Lighting & 2020 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China (SSLChina: IFWS), 2020-11-23, S. 102-104
    Online Konferenz
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    Novel designs for high-efficiency millimeter-wave zero-bias detectors
    Huang, Chun-Yen ; Nien, Chin-Chung ; et al.
    In: 2010 17th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, 2010-12-01, S. 507-510
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Novel Drain-Connected Field Plate GaN HEMT Designs for Improved VBD–RON Tradeoff and RF PA Performance
    Soni, A. ; Ajay, . ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1718-1725
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Improved Charge Modeling of Field-Plate Enhanced AlGaN/GaN HEMT Devices Using a Physics Based Compact Model
    Kellogg, Kevin ; Khandelwal, Sourabh ; et al.
    In: 2018 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), 2018-10-01, S. 102-105
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Empirical Device Scaling and RF Performance Perspective: A Small Signal Model for GaN High Electron Mobility Transistor
    Khusro, Ahmad ; Hashmi, Mohammad S. ; et al.
    In: 2018 International Conference on Computing and Network Communications (CoCoNet), 2018-08-01, S. 45-49
    Online Konferenz
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A study for achieving high power and efficiency based on high bias operation in C- and X-band GaN power amplifiers
    Formicone, G. ; Burger, J. ; et al.
    In: 2018 IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications (PAWR), 2018, S. 39-42
    Online Konferenz
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    High performance GaN single-chip frontend for compact X-band AESA systems
    Schuh, P. ; Sledzik, H. ; et al.
    In: 2017 12th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2017-10-01, S. 41-44
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Heavy Ion Testing of Commercial GaN Transistors in the Radio Frequency Spectrum
    Armstrong, Sarah E. ; Bole, Ken ; et al.
    In: 2015 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW), 2015-07-01, S. 1-6
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    GaN DHFETs Having 48% Power Added Efficiency and 57% Drain Efficiency at $V$ -Band
    Micovic, M. ; Brown, D.F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1708-1708
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fast-Pulsed Characterization of RF GaN HEMTs in Lifetest Systems
    Paine, B.M. ; Polmanter, S.R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 17 (2017-03-01), Heft 1, S. 130-130
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Fast-Pulsed Characterizations of RF GaN HEMTs During Wearout
    Paine, B.M. ; Polmanter, S.R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 17 (2017-03-01), Heft 1, S. 184-184
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Electron Velocity Enhancement in Laterally Scaled GaN DH-HEMTs With $f_{T}$ of 260 GHz
    Shinohara, K. ; Regan, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-08-01), Heft 8, S. 1074-1076
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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