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    High-Voltage Regrown Nonpolar ${m}$ -Plane Vertical p-n Diodes: A Step Toward Future Selective-Area-Doped Power Switches
    Monavarian, M. ; Pickrell, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-03-01), Heft 3, S. 387-390
    Online academicJournal
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    Experimental Demonstration of Charge- Balanced GaN Super-Heterojunction Schottky Barrier Diode Capable of 2.8 kV Switching
    Han, S. ; Song, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-12-01), Heft 12, S. 1758-1761
    Online academicJournal
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    Reduction of Leakage Current in GaN Schottky Diodes Through Ultraviolet/Ozone Plasma Treatment
    Kim, K. ; Liu, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-11-01), Heft 11, S. 1796-1799
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Novel 220-GHz GaN Diode On-Chip Tripler With High Driven Power
    Zhang, B. ; Ji, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-05-01), Heft 5, S. 780-783
    Online academicJournal
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    900 V Reverse-Blocking GaN-on-Si MOSHEMTs With a Hybrid Tri-Anode Schottky Drain
    Ma, J. ; Zhu, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1704-1704
    Online academicJournal
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    Effect of Drift Layer on the Breakdown Voltage of Fully-Vertical GaN-on-Si p-n Diodes
    Mase, S. ; Hamada, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1720-1720
    Online academicJournal
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    High-Performance AlGaN/GaN Schottky Diodes With an AlGaN/AlN Buffer Layer
    Lee, G. Y. ; Liu, H. H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), Heft 11, S. 1519-1521
    Online academicJournal
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    Finite-Zone Argon Implant Edge Termination for High-Voltage GaN Schottky Rectifiers
    Ozbek, A. M. ; Baliga, B. J.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-10-01), Heft 10, S. 1361-1363
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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