Suchergebnisse
Katalog
Mehr
Suchmaske
Suchergebnisse einschränken oder erweitern
Aktive Suchfilter
Weniger Treffer
Art der Quelle
Thema
- aluminum gallium nitride 2 Treffer
- hemts 2 Treffer
- silicon 2 Treffer
- wide band gap semiconductors 2 Treffer
- 2deg 1 Treffer
-
35 weitere Werte:
- algan 1 Treffer
- algan/gan hemt 1 Treffer
- atlas device simulator 1 Treffer
- biology 1 Treffer
- biosensors 1 Treffer
- detectivity 1 Treffer
- diagnostics 1 Treffer
- electrolyte 1 Treffer
- electrolytes 1 Treffer
- faces 1 Treffer
- gan 1 Treffer
- graphene 1 Treffer
- graphene field-effect transistor 1 Treffer
- hall effect 1 Treffer
- hemt 1 Treffer
- humidity 1 Treffer
- humidity sensors 1 Treffer
- illumination 1 Treffer
- instrumentation 1 Treffer
- instruments 1 Treffer
- integrated circuit modeling 1 Treffer
- ion gel 1 Treffer
- ions 1 Treffer
- junctions 1 Treffer
- lock-in amplification 1 Treffer
- ph sensor 1 Treffer
- phemt 1 Treffer
- phemts 1 Treffer
- phototransistor 1 Treffer
- real-time systems 1 Treffer
- responsivity 1 Treffer
- sensor phenomena and characterization 1 Treffer
- system analysis 1 Treffer
- tfets 1 Treffer
- tunneling 1 Treffer
Inhaltsanbieter
6 Treffer
-
In: IEEE Sensors Journal, Jg. 22 (2022-09-15), Heft 18, S. 17769-17776Online academicJournalZugriff:
-
In: IEEE Sensors Journal, Jg. 21 (2021-09-15), Heft 18, S. 19753-19761Online academicJournalZugriff:
-
In: IEEE Sensors Journal, Jg. 21 (2021-09-01), Heft 17, S. 18483-18487Online academicJournalZugriff:
-
In: IEEE Sensors Journal, Jg. 17 (2017-10-01), Heft 19, S. 6295-6295Online academicJournalZugriff:
-
In: IEEE Sensors Journal, Jg. 16 (2016-09-01), Heft 18, S. 6828-6828Online academicJournalZugriff:
-
Highly Sensitive Nanotesla Quantum-Well Hall-Effect Integrated Circuit Using GaAs–InGaAs–AlGaAs 2DEGIn: IEEE Sensors Journal, Jg. 15 (2015-03-01), Heft 3, S. 1817-1817Online academicJournalZugriff: