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    High-Performance GaN MOSFET With High-$\kappa$ $\hbox{LaAlO}_{3}/\hbox{SiO}_{2}$ Gate Dielectric
    Tsai, C. Y. ; Wu, T. L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 35-37
    Online academicJournal
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    Thin-Body N-Face GaN Transistor Fabricated by Direct Wafer Bonding
    Ryu, K. K. ; Roberts, J. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-07-01), Heft 7, S. 895-897
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High microwave and noise performance of 0.17-μm AlGaN-GaN HEMTs on high-resistivity silicon substrates
    Minko, A. ; Hoel, V. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-04-01), Heft 4, S. 167-169
    Online academicJournal
    Zugriff:
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