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    High-Efficiency GaN/SiC Doubler Terahertz Monolithic Integrated Circuit at 175 GHz
    Zhang, L. ; Gu, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-03-01), Heft 3, S. 376-379
    Online academicJournal
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    Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs on p and n-GaN/Sapphire Substrates
    Huang, W. ; Khan, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), Heft 10, S. 796-798
    Online academicJournal
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    GaN HEMTs on Si With Regrown Contacts and Cutoff/Maximum Oscillation Frequencies of 250/204 GHz
    Li, L. ; Nomoto, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), Heft 5, S. 689-692
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A 97.8% Efficient GaN HEMT Boost Converter With 300-W Output Power at 1 MHz
    Wu, Y. ; Jacob-Mitos, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-08-01), Heft 8, S. 824-826
    Online academicJournal
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    Volltext
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