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    High-Efficiency GaN/SiC Doubler Terahertz Monolithic Integrated Circuit at 175 GHz
    Zhang, L. ; Gu, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-03-01), Heft 3, S. 376-379
    Online academicJournal
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    GaN-On-Diamond HEMT Technology With TAVG = 176°C at PDC,max = 56 W/mm Measured by Transient Thermoreflectance Imaging
    Tadjer, M.J. ; Anderson, T.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-06-01), Heft 6, S. 881-884
    Online academicJournal
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    Small- and Large-Signal Performance Up To 175 °C of Low-Cost Porous Silicon Substrate for RF Applications
    Rack, M. ; Belaroussi, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-05-01), Heft 5, S. 1887-1895
    Online academicJournal
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    Honeycomb Structure on Multi-crystalline Silicon Al-BSF Solar Cell With 17.8% Efficiency
    Volk, A. ; Tucher, N. ; et al.
    In: IEEE Journal of Photovoltaics, Jg. 5 (2015-07-01), Heft 4, S. 1027-1033
    Online academicJournal
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    Corrections to “In Situ Oxide, GaN Interlayer-Based Vertical Trench MOSFET (OG-FET) on Bulk GaN Substrates’ [Mar 17 353-355]
    Gupta, C. ; Lund, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), Heft 2, S. 316
    Online academicJournal
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    A Simulation Study of the Switching Times of 22- and 17-nm Gate-Length SOI nFETs on High Mobility Substrates and Si
    Laux, S. E.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-09-01), Heft 9, S. 2304-2320
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    In(Ga)As Quantum Ring Terahertz Photodetector With Cutoff Wavelength at 175 $\mu$ m
    Lee, J. H. ; Dai, J. H. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 21 (2009-06-01), Heft 11, S. 721-723
    Online academicJournal
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    Polyimide-planarized vertical-cavity surface-emitting lasers with 17.0-GHz bandwidth
    AL-Omari, A.N. ; Lear, K.L.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 16 (2004-04-01), Heft 4, S. 969-971
    Online academicJournal
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    17.3% efficiency metal-oxide-semiconductor (MOS) solar cells with liquid-phase-deposited silicon dioxide
    Lee, Kuo-Chung ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 18 (1997-11-01), Heft 11, S. 565-567
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    17.8-percent efficiency polycrystalline silicon solar cells
    Narayanan, S. ; Wenham, S.R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 37 (1990-02-01), Heft 2, S. 382-384
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Y-Band (170-260 GHz) Tunable CW IMPATT Diode Oscillators
    Chao, C. ; Bernick, R.L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 25 (1977-12-01), Heft 12, S. 985-991
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design of a D-Band CMOS Amplifier Utilizing Coupled Slow-Wave Coplanar Waveguides
    Parveg, D. ; Varonen, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 66 (2018-03-01), Heft 3, S. 1359-1373
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Development of all IC 17" Blank-and-White Line-Operated TV Receiver
    Kondo, S. ; Fukui, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Broadcast and Television Receivers, Jg. BTR-17 (1971-05-01), Heft 2, S. 98
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    17.2-percent efficient (AMO) p+-i-n InP homojunction solar cells
    Itoh, Y. ; Yamaguchi, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 7 (1986-02-01), Heft 2, S. 127-128
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Initial Demonstration of an Inductive Vibrating Ring Gyroscope Fabricated From Fused Silica
    Wu, K. ; Li, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-07-01), Heft 7, S. 1297-1300
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ultrawideband Microwave Absorber Conformable on Nondevelopable Curved Surfaces Based on the Hauberk Structure
    Fu, C. ; Fu, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Antennas and Propagation, Jg. 72 (2024-06-01), Heft 6, S. 5057-5065
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A G-Band Packaged Amplified Noise Source Using SiGe BiCMOS 55-nm Technology
    Fiorese, V. ; Azevedo Goncalves, J.C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-03-01), Heft 3, S. 1775-1789
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    An Ultra-Low Noise LNA Based on SISL Platform for Ka-band Satellite Communication
    Hong, X. ; Ma, K. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-02-01), Heft 2, S. 199-202
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Stretchable-Substrate-Impregnated Fabric: Deployable Reflectarray Antennas for CubeSats
    Machida, M. ; Tomura, T. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 12 (2024), S. 58562-58572
    Online academicJournal
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    Ultrawideband Chip-to-Chip Interconnect Using Bond Wire With Sidewalls
    Jeon, Y. ; Jeong, J.
    In: IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Jg. 13 (2023-12-01), Heft 12, S. 1897-1904
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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