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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Multiple-state resonant-tunneling bipolar transistor operating at room temperature and its application as a frequency multiplier
    Sen, S. ; Capasso, F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 9 (1988-10-01), Heft 10, S. 533-535
    Online academicJournal
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    A polymer transistor circuit using PDHTT
    Krumm, J. ; Eckert, E. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-06-01), Heft 6, S. 399-401
    Online academicJournal
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    Experimental demonstration of single peak IV characteristics in a novel resonant tunneling diode
    Arai, K. ; Yamamoto, M.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-10-01), Heft 10, S. 491-493
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A novel multiple-valued logic gate using resonant tunneling devices
    Waho, T. ; Chen, K.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-05-01), Heft 5, S. 223-225
    Online academicJournal
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    High-speed InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors
    Chau, H. F. ; Beam, E.A., III
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 14 (1993-08-01), Heft 8, S. 388-390
    Online academicJournal
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    Double-interdigitated (TIL) bipolar power transistors with lightly doped collectors
    Silard, A. ; Nani, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 9 (1988-04-01), Heft 4, S. 174-176
    Online academicJournal
    Zugriff:
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