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    Performance Evaluation of a 17-Level Octuple Boost Inverter for a Grid-Connected PV System
    Chandan, B. ; Pal, P.K. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 12 (2024), S. 87284-87298
    Online academicJournal
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    A Novel 17-Level Reduced Component Single DC Switched-Capacitor-Based Inverter With Reduced Input Spike Current
    Singh, A.K. ; Mandal, R.K.
    In: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, Jg. 10 (2022-10-01), Heft 5, S. 6045-6056
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Optimization of 1700-V 4H-SiC Semi-Superjunction Schottky Rectifiers With Implanted P-Pillars for Practical Realization
    Baker, G.W.C. ; Gammon, P.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-04-01), Heft 4, S. 1924-1930
    Online academicJournal
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    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A Reconfigurable Non-Uniform Power-Combining V-Band PA With +17.9 dBm Psat and 26.5% PAE in 16-nm FinFET CMOS
    Chu, K. ; Callender, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-05-01), Heft 5, S. 1502-1513
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A 3-MHz 17.3- $\mu$ W 0.015% Period Jitter Relaxation Oscillator With Energy Efficient Swing Boosting
    Zhou, W. ; Goh, W.L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 67 (2020-10-01), Heft 10, S. 1745-1749
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Asymmetrical 17-Level Inverter Topology With Reduced Total Standing Voltage and Device Count
    Arif, M.S.B. ; Mustafa, U. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 69710-69723
    Online academicJournal
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    Ultrawideband Power-Switchable Transmitter With 17.7-dBm Output Power for See-Through-Wall Radar
    Liu, M. ; Xiao, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 28 (2020-05-01), Heft 5, S. 1331-1335
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A 15-GHz, 17.8-mW, 213-fs Injection-Locked PLL With Maximized Injection Strength Using Adjustment of Phase Domain Response
    Choo, M. ; Song, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 1932-1936
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    High Switching Performance of 1700-V, 50-A SiC Power MOSFET Over Si IGBT/BiMOSFET for Advanced Power Conversion Applications
    Hazra, S. ; De, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Power Electronics, Jg. 31 (2016-07-01), Heft 7, S. 4742-4742
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 65 nm 0.5 V DPS CMOS Image Sensor With 17 pJ/Frame.Pixel and 42 dB Dynamic Range for Ultra-Low-Power SoCs
    Couniot, N. ; de Streel, G. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 50 (2015-10-01), Heft 10, S. 2419-2430
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Simulation Study of the Switching Times of 22- and 17-nm Gate-Length SOI nFETs on High Mobility Substrates and Si
    Laux, S. E.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-09-01), Heft 9, S. 2304-2320
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    2008 Index Journal of Microelectromechanical Systems Vol. 17
    In: Journal of Microelectromechanical Systems, Jg. 17 (2008-12-01), Heft 6, S. 1558-1580
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Demonstration of 17 GHz operation of M-code generator based on SFQ with resettable latch
    Akahori, A. ; Takeuchi, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Applied Superconductivity, Jg. 11 (2001-03-01), Heft 1, S. 521-524
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A SUC-Based Full-Binary 6-bit 3.1-GS/s 17.7-mW Current-Steering DAC in 0.038 mm $^{2}$
    Kim, S. ; Kim, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 24 (2016-02-01), Heft 2, S. 794-794
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    A 0.8-dB insertion-loss, 17.4-dBm power-handling, 5-GHz transmit/receive switch with DETs in a 0.18-μm CMOS process
    Ohnakado, T. ; Yamakawa, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-03-01), Heft 3, S. 192-194
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 9-ns, 1.4-gigabyte/s, 17-ported CMOS register file
    Jolly, R.D.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 26 (1991-10-01), Heft 10, S. 1407-1412
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Control Flow in Active Inference Systems—Part I: Classical and Quantum Formulations of Active Inference
    Fields, C. ; Fabrocini, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Molecular, Biological and Multi-Scale Communications, Jg. 9 (2023-06-01), Heft 2, S. 235-245
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A High Common-Mode Transient Immunity GaN-on-SOI Gate Driver With Quad-Drive Control Technique for High dV/dt 1700-V SiC Power Switch
    Hung, S. ; Wang, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. PP, Heft 99, S. 1-10
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 1MHz 256kb Ultra Low Power Memory Macro for Biomedical Recording Applications in 22nm FD-SOI Using FECC to Enable Data Retention Down to 170mV Supply Voltage
    Vanhoof, B. ; Dehaene, W.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. PP, Heft 99, S. 1-7
    academicJournal
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    Recent Advances in Cesium Beam Technology and Characteristics of Rabi and Ramsey Cesium Beam Tubes 17 Inches Long
    George, James
    In: IRE Transactions on Instrumentation, Jg. I-11 (1962-12-01), Heft 3/4, S. 250
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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