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    A 14.17pJ.K2 FoM CMOS Temperature Sensor With 173 μm2 Sensing Core for Remote Sensing in 65-nm CMOS
    Shui, Y. ; Wang, A.
    In: IEEE Sensors Journal, Jg. 23 (2023-11-15), Heft 22, S. 27059-27067
    Online academicJournal
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    Impact of High Temperature Up to 175 °C on the DC and RF Performances of 22-nm FD-SOI MOSFETs
    Halder, A. ; Nyssens, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 4987-4992
    Online academicJournal
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    A 17.7–19.2-GHz Receiver Front End With an Adaptive Analog Temperature- Compensation Scheme
    Li, M. ; Gao, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 71 (2023-03-01), Heft 3, S. 1068-1082
    Online academicJournal
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    Long-Term Temperature-Dependent Degradation of 175 W Chip-on-Board LED Modules
    Herzog, A. ; Wagner, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-12-01), Heft 12, S. 6830-6836
    Online academicJournal
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    Demonstration of a 17 × 25 Gb/s Heterogeneous III-V/Si DWDM Transmitter Based on (De-) Interleaved Quantum Dot Optical Frequency Combs
    Cheung, S. ; Yuan, Y. ; et al.
    In: Journal of Lightwave Technology, Jg. 40 (2022-10-01), Heft 19, S. 6435-6443
    Online academicJournal
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    A Single-Trim Frequency Reference Achieving ±120 ppm Accuracy From −50 °C to 170 °C
    Delke, A.S. ; Annema, A. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-11-01), Heft 11, S. 3434-3444
    Online academicJournal
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    Miniaturization and Thermal Design of a 170 W AC/DC Battery Charger Utilizing GaN Power Devices
    Weimer, J. ; Koch, D. ; et al.
    In: IEEE Open Journal of Power Electronics, Jg. 3 (2022), S. 13-25
    academicJournal
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    Power Sensor Characterization From 110 to 170 GHz Using a Waveguide Calorimeter
    Celep, M. ; Salek, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Jg. 71 (2022), S. 1-7
    Online academicJournal
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    High-Power 1770 nm Emission of a Membrane External-Cavity Surface-Emitting Laser
    Broda, A. ; Jezewski, B. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 57 (2021-02-01), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
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    A 17.3–20.2-GHz GaN-Si MMIC Balanced HPA for Very High Throughput Satellites
    Giofre, R. ; Colantonio, P. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-03-01), Heft 3, S. 296-299
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 177–183 GHz High-Power GaN-Based Frequency Doubler With Over 200 mW Output Power
    Liang, S. ; Song, X. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), Heft 5, S. 669-672
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Comparison of 1700-V SiC-MOSFET and Si-IGBT Modules Under Identical Test Setup Conditions
    Fuentes, C.D. ; Kouro, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Industry Applications, Jg. 55 (2019-11-01), Heft 6, S. 7765-7775
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    GaN-On-Diamond HEMT Technology With TAVG = 176°C at PDC,max = 56 W/mm Measured by Transient Thermoreflectance Imaging
    Tadjer, M.J. ; Anderson, T.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-06-01), Heft 6, S. 881-884
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Magnetostrictions of Sm$_{2}$Fe$_{17}$ and Sm$_{2}$Fe$_{17}$N$_{3}$
    Yang, J. B. ; Chen, H. Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 47 (2011-10-01), Heft 10, S. 3621-3624
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    Tolerance Studies on an Inverse Magnetron Injection Gun for a 2-MW 170-GHz Coaxial-Cavity Gyrotron
    Ruess, S. ; Gantenbein, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 3870-3876
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    Corrections to “Temperature Correction for Cylindrical Cavity Perturbation Measurements” [Jun 17 2153-2161]
    Cuenca, J.A. ; Slocombe, D.R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 65 (2017-12-01), Heft 12, S. 5078-5078
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Evaluation of Water Permittivity Models From Ground-Based Observations of Cold Clouds at Frequencies Between 23 and 170 GHz
    Cadeddu, M. P. ; Turner, D. D.
    In: IEEE Transactions on Geoscience and Remote Sensing, Jg. 49 (2011-08-01), Heft 8, S. 2999-3008
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    A 174 pW–488.3 nW 1 S/s–100 kS/s All-Dynamic Resistive Temperature Sensor With Speed/Resolution/Resistance Adaptability
    Xin, H. ; Andraud, M. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 1 (2018-03-01), Heft 3, S. 70-70
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 0.67- $\mu\text{W}$ 177-ppm/°C All-MOS Current Reference Circuit in a 0.18- $\mu\text{m}$ CMOS Technology
    Chouhan, S.S. ; Halonen, K.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 723-723
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    17 Gb/in/sup 2/ areal density demonstration at 214 Mb/s
    Tarnopolsky, G.J. ; Chen, D.Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 36 (2000), Heft 1, S. 73-79
    Online academicJournal
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