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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Corrections to “In Situ Oxide, GaN Interlayer-Based Vertical Trench MOSFET (OG-FET) on Bulk GaN Substrates’ [Mar 17 353-355]
    Gupta, C. ; Lund, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), Heft 2, S. 316
    Online academicJournal
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    360 GHz fMAX Graded-Channel AlGaN/GaN HEMTs for mmW Low-Noise Applications
    Moon, J. ; Wong, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-08-01), Heft 8, S. 1173-1176
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High-Mobility Normally OFF Al2O3/AlGaN/GaN MISFET With Damage-Free Recessed-Gate Structure
    Zhang, J. ; He, L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-11-01), Heft 11, S. 1720-1720
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    650-V Double-Channel Lateral Schottky Barrier Diode With Dual-Recess Gated Anode
    Lei, J. ; Wei, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), Heft 2, S. 260-260
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    AlGaN/GaN FinFET With Extremely Broad Transconductance by Side-Wall Wet Etch
    Jo, Y. ; Son, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-10-01), Heft 10, S. 1008-1008
    Online academicJournal
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    Volltext
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