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  1. Detailansicht für Treffer 61 öffnen
    Oxide-bypassed VDMOS (OBVDMOS): an alternative to superjunction high voltage MOS power devices
    Liang, Y.C. ; Gan, K.P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 22 (2001-08-01), Heft 8, S. 407-409
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 62 öffnen
    Temperature dependent common emitter current gain and collector-emitter offset voltage study in AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors
    Huang, J.J. ; Hattendorf, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 22 (2001-04-01), Heft 4, S. 157-159
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    Graded gate VDMOSFET
    Xu, Shuming ; Kian Paau Can ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000-04-01), Heft 4, S. 176-178
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    High-Frequency Performance of GaN High-Electron Mobility Transistors on 3C-SiC/Si Substrates With Au-Free Ohmic Contacts
    Jatal, W. ; Baumann, U. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-02-01), Heft 2, S. 123-123
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    94-GHz Large-Signal Operation of AlInN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Silicon With Regrown Ohmic Contacts
    Marti, D. ; Tirelli, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015), Heft 1, S. 17-17
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    Microwave performance of AlGaN/GaN inverted MODFET's
    Aktas, O. ; Fan, Z.F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 18 (1997-06-01), Heft 6, S. 293-295
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    Measured microwave power performance of AlGaN/GaN MODFET
    Wu, Y. F. ; Keller, B.P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-09-01), Heft 9, S. 455-457
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    Microwave operation of GaN/AlGaN-doped channel heterostructure field effect transistors
    Khan, M.A. ; Chen, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-07-01), Heft 7, S. 325-327
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    Performance Enhancement of Flip-Chip Packaged AlGaN/GaN HEMTs Using Active-Region Bumps-Induced Piezoelectric Effect
    Tsai, S. ; Hsu, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-07-01), Heft 7, S. 735-735
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    CW operation of short-channel GaN/AlGaN doped channel heterostructure field effect transistors at 10 GHz and 15 GHz
    Asif Khan, M. ; Chen, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-12-01), Heft 12, S. 584-585
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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