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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    Phase Transition FETs for Improved Dynamic Logic Gates
    Avedillo, M.J. ; Jimenez, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-11-01), Heft 11, S. 1776-1776
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Effect on Ring Oscillator Frequency in 28-nm FD-SOI Technology
    Seo, D. ; Trang, L.D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-11-01), Heft 11, S. 1728-1728
    Online academicJournal
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    Volltext
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  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    High-Mobility Normally OFF Al2O3/AlGaN/GaN MISFET With Damage-Free Recessed-Gate Structure
    Zhang, J. ; He, L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-11-01), Heft 11, S. 1720-1720
    Online academicJournal
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    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    High-Capacitance-Density ${p}$ -GaN Gate Capacitors for High-Frequency Power Integration
    Tang, G. ; Kwan, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-09-01), Heft 9, S. 1362-1362
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Demonstration of a Depletion-Mode SrSnO3 n-Channel MESFET
    Chaganti, V.R.S.K. ; Prakash, A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-09-01), Heft 9, S. 1381-1381
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    MSM Varactor Diodes Based on ${\rm In}_{0.7}{\rm Ga}_{0.3}{\rm As}$ HEMTs With Cut-Off Frequency of 908 GHz
    Shin, S. H. ; Geum, D. M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-02-01), Heft 2, S. 172-174
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    High-Voltage and Low-Leakage-Current Gate Recessed Normally-Off GaN MIS-HEMTs With Dual Gate Insulator Employing PEALD-${\rm SiN}_{x}$ /RF-Sputtered-${\rm HfO}_{2}$
    Choi, W. ; Seok, O. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-02-01), Heft 2, S. 175-177
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Delta Doped $\beta$ -Ga2O3 Field Effect Transistors With Regrown Ohmic Contacts
    Xia, Z. ; Joishi, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-04-01), Heft 4, S. 568-568
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    A Fast $V_{th}$ Measurement (FVM) Technique for NBTI Behavior Characterization
    Yu, X. ; Cheng, R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), Heft 2, S. 172-172
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    Carrier Mobility Enhancement by Applying Back-Gate Bias in Ge-on-Insulator MOSFETs
    Wu, W. ; Wu, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), Heft 2, S. 176-176
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    600-V Normally Off ${\rm SiN}_{x}$ /AlGaN/GaN MIS-HEMT With Large Gate Swing and Low Current Collapse
    Tang, Z. ; Jiang, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-11-01), Heft 11, S. 1373-1375
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    High-Speed, Enhancement-Mode GaN Power Switch With Regrown ${\rm n}+$ GaN Ohmic Contacts and Staircase Field Plates
    Brown, D. F. ; Shinohara, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-09-01), Heft 9, S. 1118-1120
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Channel Thickness Effect on High-Frequency Performance of Poly-Si Thin-Film Transistors
    Chen, K. M. ; Tsai, T. I. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-08-01), Heft 8, S. 1020-1022
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    A U-Gate InGaAs/GaAsSb Heterojunction TFET of Tunneling Normal to the Gate With Separate Control Over ON- and OFF-State Current
    Shih, P. ; Hou, W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1751-1751
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  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    An Improved SOI P-Channel LDMOS With High- ${k}$ Gate Dielectric and Dual Hole-Conductive Paths
    Deng, J. ; Cheng, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1712-1712
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    900 V Reverse-Blocking GaN-on-Si MOSHEMTs With a Hybrid Tri-Anode Schottky Drain
    Ma, J. ; Zhu, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1704-1704
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    GaN DHFETs Having 48% Power Added Efficiency and 57% Drain Efficiency at $V$ -Band
    Micovic, M. ; Brown, D.F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1708-1708
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    A Non-Hysteretic Sub-60-mV/decade Subthreshold Slope and ON-Current Boosts in Electrostrictive-Piezoelectric Transistors
    Jana, R.K.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), Heft 12, S. 1759-1759
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    Deep-Depletion Mode Boron-Doped Monocrystalline Diamond Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
    Pham, T. ; Pernot, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-11-01), Heft 11, S. 1571-1571
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    Low-Frequency Noise Characteristics for Various ${\rm ZrO}_{2}$-Added ${\rm HfO}_{2}$-Based 28-nm High-$k$/Metal-Gate nMOSFETs
    Tsai, S. C. ; Wu, S. L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-07-01), Heft 7, S. 834-836
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