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    Quantitative identification of significant k-points enabling accurate & computationally efficient UTB MOS device simulation
    Vilochan Mishra, Nalin ; Medury, Aditya Sankar
    In: 2022 International Semiconductor Conference (CAS), 2022-10-12, S. 247-250
    Online Konferenz
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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, N.V. ; Solanki, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Comparison of Different Approaches used for Estimation of Electrostatics in UTB devices
    Mishra, Nalin Vilochan ; Kansal, Harshit ; et al.
    In: 2022 IEEE 22nd International Conference on Nanotechnology (NANO), 2022-07-04, S. 347-350
    Online Konferenz
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    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    The Modulation Effect of LPCVD-SixNy Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, L. ; Zhou, Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4828-4834
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    The effects of surface passivation on the electrostatics of the UTB SOI devices
    Solanki, Ravi ; Medury, Aditya Sankar
    In: 2021 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS), 2021-09-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Volltext
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    Performance Analysis of UTB and Nanowire Tunnel FET by varying various Device Intrinsic Parameters
    Joshi, Romil ; Shaherawala, Prutha ; et al.
    In: 2021 Second International Conference on Electronics and Sustainable Communication Systems (ICESC), 2021-08-04, S. 522-529
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    Use of spectral decomposition in identifying stratigraphic baffles below seismic resolution; A case study of UTB field, offshore Niger Delta
    Durogbitan, Abimbola ; Simon, Eyogwe ; et al.
    In: Journal of Applied Geophysics, Jg. 217 (2023-10-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, M.L. ; Hueting, R.J.E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Performance Assessment of UTB-SOI MOS Transistor with Negative Capacitance Gate-stack
    Priyadarshini, Elina ; Kumar Maity, Subir
    In: 2018 International Conference on Applied Electromagnetics, Signal Processing and Communication (AESPC), Jg. 1 (2018-10-01), S. 1-4
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Analysis of the Output Conductance Degradation With the Substrate Bias in SOI UTB and UTBB Transistors
    Costa, F.J. ; Trevisoli, R. ; et al.
    In: 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018-08-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Volltext
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    serialPeriodical
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    Effects of composition fraction on subthreshold behavior of InAsxSb(1-x) channel UTB MOSFETs
    Dey, Sulata ; Dey, Bikash ; et al.
    In: 2018 Emerging Trends in Electronic Devices and Computational Techniques (EDCT), 2018-03-01, S. 1-5
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Islam, Muhammad Mainul ; Sarker, Md. Shamim ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01, S. 59-63
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    TCAD low-field mobility model for InGaAs UTB MOSFETs including quasi-ballistic corrections
    Carapezzi, Stefania ; Caruso, Enrico ; et al.
    In: 2016 46th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2016-09-01, S. 416-419
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Gate Overdrive with Split-Circuit Biasing to Substitute for Body Biasing in FinFET and UTB FDSOI Circuits
    Whetzel, Andrew ; Stan, Mircea R.
    In: 2016 IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI (ISVLSI), 2016-07-01, S. 467-472
    Online Konferenz
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    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Analysis of Negative Capacitance UTB SOI MOSFETs considering Line-Edge Roughness and Work Function Variation
    Chiu, Pin-Chieh ; Hu, Vita Pi-Ho
    In: 2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2018-03-01, S. 13-15
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Z. ; Yu, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Lin, Y. ; Kushwaha, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    Online academicJournal
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    Volltext
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    serialPeriodical
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    serialPeriodical

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