A 1700 V-Class Self-Aligned Channel and Split Gate (SASG) Architecture of 4H-SiC VDMOSFET for High Frequency Application

Hung, Chia Lung ; Hsiao, Yi Kai ; et al.

In: IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia); (2023-08-27) S. 1-3

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Titel:	A 1700 V-Class Self-Aligned Channel and Split Gate (SASG) Architecture of 4H-SiC VDMOSFET for High Frequency Application
Autor/in / Beteiligte Person:	Hung, Chia Lung ; Hsiao, Yi Kai ; Kuo, Hao Chung
Link:	Volltext
Quelle:	IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia); (2023-08-27) S. 1-3
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	979-8-3503-3711-2 (print)
ISSN:	2831-3712 (print)
DOI:	10.1109/WiPDAAsia58218.2023.10261901
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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