Optimization of 1700V 4H-SiC Semi-Superjunction Schottky Diode with Multi-Step Trenched Structure

Wang, Kuan ; Yuan, Jun ; et al.

In: 20th China International Forum on Solid State Lighting & 2023 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS); (2023-11-27) S. 65-67

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Titel:	Optimization of 1700V 4H-SiC Semi-Superjunction Schottky Diode with Multi-Step Trenched Structure
Autor/in / Beteiligte Person:	Wang, Kuan ; Yuan, Jun ; Wu, Yangyang ; Guo, Fei ; Cheng, Zhijie ; Chen, Wei ; Peng, Ruoshi
Link:	Volltext
Quelle:	20th China International Forum on Solid State Lighting & 2023 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS); (2023-11-27) S. 65-67
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	979-8-3503-8537-3 (print)
DOI:	10.1109/SSLChinaIFWS60785.2023.10399743
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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