Study of Impact of Access Resistance on High-Frequency Performance of AlGaN/GaN HEMTs by Measurements at Low Temperatures

Nidhi ; Palacios, T. ; et al.

In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-11-01), Heft 11, S. 877-880

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Titel:	Study of Impact of Access Resistance on High-Frequency Performance of AlGaN/GaN HEMTs by Measurements at Low Temperatures
Autor/in / Beteiligte Person:	Nidhi ; Palacios, T. ; Chakraborty, A. ; Keller, S. ; Mishra, U.K.
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-11-01), Heft 11, S. 877-880
Veröffentlichung:	2006
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0741-3106 (print) ; 1558-0563 (print)
DOI:	10.1109/LED.2006.884720
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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