Robustness study of 1700 V 45 mΩ SiC MOSFETs
In: IEEE International Conference on Industrial Technology (ICIT); (2018-02-01) S. 830-834
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Konferenz
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Titel: |
Robustness study of 1700 V 45 mΩ SiC MOSFETs
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Autor/in / Beteiligte Person: | Molin, Quentin ; Kanoun, Mehdi ; Raynaud, Christophe ; Morel, Herve |
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Quelle: | IEEE International Conference on Industrial Technology (ICIT); (2018-02-01) S. 830-834 |
Veröffentlichung: | 2018 |
Medientyp: | Konferenz |
ISBN: | 978-1-5090-5949-2 (print) ; 978-1-5090-5948-5 (print) |
DOI: | 10.1109/ICIT.2018.8352285 |
Sonstiges: |
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